这样,应用同步整流器来完成这个功能,同时利用MOSFET的双向导电特性,因为同步整流管的漏源电流是分布在坐标横轴两侧的。这种结构的过程详细分析如下:
1)S1导通,S2截止;S3截止,S4,S5,S6均导通。由于S4,S5,S6的导通,第一变压器副边绕组下端为零电位,第二变压器副边绕组上、下端均为零电位,电感L1上电流上升,L2,L3,L4上电流下降。
2)S2导通,S1截止;S4截止,S3,S5,S6均导通。由于S3,S5,S6的导通,第一变压器副边绕组上端为零电位,第二变压器副边绕组上、下端均为零电位,电感L2上电流上升,L1,L3,L4上电流下降。
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