GD32与STM32的异同

只看该作者 · 2014-6-28 08:29

只看该作者 · 2014-6-28 08:31

1.内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下表是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。

只看该作者 · 2014-6-28 08:33

2.主频
2.1使用HSE：GD的主频可以跑到108M，而ST的主频仅为72M
2.2使用HIS：GD的主频可以跑到108M，而ST的主频丌能超过64M
例如：刷屏，开方运算，电机控制等对MCU速度要求高，但是又想降低成本的时候，GD是一个非常不错的选择。使用内部和外部晶体，配置108M时钟的方式可以通过访问21ic下载相关的文件
https://bbs.21ic.com/icview-570529-1-1.html

只看该作者 · 2014-6-28 08:34

3.供电
1.外部供电
• GD32外部供电范围是2.6~3.6V
• STM32外部供电范围是2~3.6V
GD的供电范围比STM32相对要窄一点。

只看该作者 · 2014-6-28 08:34

2.内核电压
• GD32内核电压是1.2V
• STM32内核电压是1.8V
GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

只看该作者 · 2014-6-28 08:35

4.FLASH的差异
4.1 Flash执行速度
• GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
• STM32 Flash中程序执行速度。
ST系统频率不访问flash等待时间关系：
0等待周期，当0<SYSCLK<24MHz
1等待周期，当24MHz<SYSCLK≤48MHz
2等待周期，当48MHz<SYSCLK≤72MHz

只看该作者 · 2014-6-28 08:35

4.2 擦除时间：
由于GD的Flash是自己的与利技术，ST的Flash是第三方提供的，
所以GD的Flash和ST的Flash有些许差异。GD的擦除时间更长一点
例如：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms，实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms，参见产品datasheet。