0 引 言
基准电压是集成电路设计中的一个重要部分,特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A/D和 D/A转换器等中,基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此,在高精度的应用场合,拥有一个具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。
传统带隙基准由于仅对晶体管基一射极电压进行一阶的温度补偿,忽略了曲率系数的影响,产生的基准电压和温度仍然有较大的相干性,所以输出电压温度特性一般在20 ppm/℃以上,无法满足高精度的需要。
基于以上的要求,在此设计一种适合高精度应用场合的基准电压源。在传统带隙基准的基础上利用工作在亚阈值区MOS管电流的指数特性,提出一种新型二阶曲率补偿方法。同时,为了尽可能减少电源电压波动对基准电压的影响,在设计中除了对带隙电路的镜相电流源采用cascode结构外还增加了高增益反馈回路。在此,对电路原理进行了详细的阐述,并针对版图设计中应该的注意问题进行了说明,最后给出了后仿真结果。
l 电路设计
1.1 传统带隙基准分析
通常带隙基准电压是通过PTAT电压和CTAT电压相加来获得的。由于双极型晶体管的基一射极电压Vbe呈负温度系数,而偏置在相同电流下不同面积的双极型晶体管的基一射极电压之差呈正温度系数,在两者温度系数相同的情况下将二者相加就得到一个与温度无关的基准电压。
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