耗尽型MOS管（或JFET）GS短接构成恒流源的响应速度

只看该作者 · 2014-7-7 12:55

各位，
采用OP的构造的恒流源带宽和响应基本由OP决定。如果采用GS短接的方式用MOS形成恒流源，那么响应有多快？由于里面貌似没有负反馈，因此速度貌似直接有材料和构造决定。能到纳秒级别的响应速度？
多谢啊！

1万 · 2014-7-7 17:30

没有OP快

只看该作者 · 2014-7-7 18:35

shalixi 发表于 2014-7-7 17:30
没有OP快

看样子只能用在低频了。

只看该作者 · 2014-7-7 19:15

不知楼主想要恒流源的什么响应？恒流源不是恒流么，那样就应该没有响应。
那么是说在恒流设定值变化的情况的响应？那MOS管GS短接本身恒流也不变，也不适合。

只看该作者 · 2014-7-7 21:25

lymex 发表于 2014-7-7 19:15
不知楼主想要恒流源的什么响应？恒流源不是恒流么，那样就应该没有响应。
那么是说在恒流设定值变化的情况 ...

实际就是外界负载变化时，恒流源的电流变化幅度很小。即交流的“很大”阻抗。

只看该作者 · 2014-7-7 23:25

亚历山大Y 发表于 2014-7-7 21:25
实际就是外界负载变化时，恒流源的电流变化幅度很小。即交流的“很大”阻抗。 ...

用MOS管或JFET做恒流的话，等价为一个理想恒流源并联一个电容，这个电容根据管子的不同大概有几pF到几十pF至少，到底响应如何也要看恒流电流的大小和负载特性。

只看该作者 · 2014-7-8 01:31

lymex 发表于 2014-7-7 23:25
用MOS管或JFET做恒流的话，等价为一个理想恒流源并联一个电容，这个电容根据管子的不同大概有几pF到几十p ...

多谢，
如果用高频管会不会得到更加快速的响应呢？
如采用BF998做成恒流源，参数显示为2~18毫安的范围内，其G端输入电容仅有2PF，，最大电流30毫安。属于高频管，频率特性很好。
不知道以上响应如何？或者说根据何种参数来判断MOS形成的恒流源（GS短接）的快速响应怎么样。。。。？？

只看该作者 · 2014-7-8 08:06

亚历山大Y 发表于 2014-7-8 01:31
多谢，
如果用高频管会不会得到更加快速的响应呢？
如采用BF998做成恒流源，参数显示为2~18毫安的范 ...

高频管响应当然要快一些，但管子不能看输入电容，恒流接法的等效电容是漏极到栅极电容和漏极到源极电容之和，这个一般大一些，假设为10pF，同时假设负载是一个300欧的电阻，那么10pF的电容在53MHz下也是300欧阻抗，此时恒流电流就增加了3dB。

只看该作者 · 2014-7-8 09:53

lymex 发表于 2014-7-8 08:06
高频管响应当然要快一些，但管子不能看输入电容，恒流接法的等效电容是漏极到栅极电容和漏极到源极电容之 ...

多谢，
那这样看MOS构成的恒流源等效成一个理想恒流源并联一个电容，然后再带动外部负载？
大侠讲的3DB是20LG(A)还是？

只看该作者 · 2014-7-8 09:58

亚历山大Y 发表于 2014-7-8 09:53
多谢，
那这样看MOS构成的恒流源等效成一个理想恒流源并联一个电容，然后再带动外部负载？
大侠讲的3 ...

对。
3dB就是增加为140%或下降到70%。

只看该作者 · 2020-9-11 16:39

有人做过吗？我量了一下要1点多毫秒，它们响应速度由什么决定的呢？