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求教：关于CMOS运放的线性度

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Hoff|  楼主 | 2007-9-30 22:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
CMOS, 线性, 运放, 仿真, 信号
我在对一个两级单端输出CMOS运放的线性度进行仿真的时候，发现随着输入信号幅度的增大，它的总谐波失真THD反而是逐渐变好的，（仿真时接成了＋1的跟随器，输入信号的幅度限制在正常输出摆幅之内），但是我觉得按照非线性级数表达式，在输入信号加大的时候，高阶项应该变得更显著啊。请各位大侠指教一下，谢谢！ 

仿真是用spectre的transent分析 再用caculator中的thd函数

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