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[整流与稳压]

如何产生30V的脉冲信号

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楼主
sannew|  楼主 | 2014-7-19 11:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
脉冲信号, MOS, os, 电压, 电平
想要使用PMOS，在PMOS的源极接30V的稳定电压，为了能够导通PMOS，想到在栅极输入一个高电平30V低电平18V左右的一个脉冲信号，可以使用什么方法。在网上找了很多IC但是一般都没有这么高电压的

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沙发
maychang| | 2014-7-19 11:05 | 只看该作者
不一定要使用PMOS，用NMOS也可以。
可以30V电源电压工作的集成电路太多了，怎么能说“找了很多IC但是一般都没有这么高电压的”？

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板凳
sannew|  楼主 | 2014-7-19 11:07 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-19 11:05
不一定要使用PMOS，用NMOS也可以。
可以30V电源电压工作的集成电路太多了，怎么能说“找了很多IC但是一般都 ...

使用NMOS的话其余的电路要改动 就是在使用PMOS的基础上 怎么能后实现这个脉冲信号啊

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地板
lymex| | 2014-7-19 11:09 | 只看该作者
不知楼主要求脉冲上升沿有多快？负载是什么？
功率MOS管输入电容大，快速驱动也不太容易。

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5楼
maychang| | 2014-7-19 11:17 | 只看该作者
4楼lymex问在了点子上。

楼主一定要用PMOS，却连型号都不愿意透露，怎么帮你？

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6楼
sannew|  楼主 | 2014-7-19 11:34 | 只看该作者
lymex 发表于 2014-7-19 11:09
不知楼主要求脉冲上升沿有多快？负载是什么？
功率MOS管输入电容大，快速驱动也不太容易。 ...

上升沿大概一微秒左右吧 之前用的555产生的脉冲信号差不多就是这个上升时间 MOS管后面的负载是一个LC的震荡回路 这个PMOS是起一个开关作用

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7楼
sannew|  楼主 | 2014-7-19 11:42 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-19 11:17
4楼lymex问在了点子上。

楼主一定要用PMOS，却连型号都不愿意透露，怎么帮你？ ...

这是我用的一个方法产生的那个脉冲，但是示波器里可以看到 最终那个30V的脉冲波形上升太缓慢了

搜狗截图20140719114006.png (37.16 KB )

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搜狗截图20140719113845.png (17.17 KB )

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8楼
maychang| | 2014-7-19 11:51 | 只看该作者
sannew 发表于 2014-7-19 11:42
这是我用的一个方法产生的那个脉冲，但是示波器里可以看到 最终那个30V的脉冲波形上升太缓慢了
...

Q2负载电阻那么大 没办法快。
看过Q1的datasheet么？输入电量多少？再计算一下Q2负载电阻对Q1门极充电需要多少时间。

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9楼
sannew|  楼主 | 2014-7-19 11:59 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-19 11:51
Q2负载电阻那么大 没办法快。
看过Q1的datasheet么？输入电量多少？再计算一下Q2负载电阻对Q1门极充电需 ...

Q1的开启电压是6到10V吧 刚才把电阻调小到200欧后 上升沿就变陡了 这样还得换个功率比较大的电阻 版主你有没有其他的方法也能实现这个输出波形的 高电平30V低电平18V左右

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10楼
maychang| | 2014-7-19 12:26 | 只看该作者
sannew 发表于 2014-7-19 11:59
Q1的开启电压是6到10V吧 刚才把电阻调小到200欧后 上升沿就变陡了 这样还得换个功率比较大的电阻 版主你 ...

Q1改用串联推挽来驱动，可以快得多。

很奇怪，低电平要18V。不知道这是要干什么。
要低电平是准确的某电压，最好是从电源上解决。

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11楼
zyj9490| | 2014-7-19 18:20 | 只看该作者
sannew 发表于 2014-7-19 11:42
这是我用的一个方法产生的那个脉冲，但是示波器里可以看到 最终那个30V的脉冲波形上升太缓慢了
...

因为没有MOS管的驱动器，MOS管有一个QGS的指标，充电与放电针对这个，

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12楼
sannew|  楼主 | 2014-7-19 18:21 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-19 12:26
Q1改用串联推挽来驱动，可以快得多。

很奇怪，低电平要18V。不知道这是要干什么。

低电平也不一定非要18伏 因为我源极接了30V 这个PMOS的最大VGS是-20V所以低电平不能太低 不然 mos管就坏了 Q1怎么用串联推挽驱动？有没有图啊 版主

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13楼
maychang| | 2014-7-19 18:48 | 只看该作者
sannew 发表于 2014-7-19 18:21
低电平也不一定非要18伏 因为我源极接了30V 这个PMOS的最大VGS是-20V所以低电平不能太低 不然 mos管就坏 ...

“因为我源极接了30V 这个PMOS的最大VGS是-20V所以低电平不能太低 不然 mos管就坏了”
没有的事。
低电平与你的PMOS最大Vgg没有关系。只要你的管子门极对源极不超过负20伏，就不会坏。

用推挽驱动，你必须另加一个独立的不超过20V也不低于7～8V的直流电源。

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14楼
corset| | 2014-7-19 21:10 | 只看该作者
LZ是想做MBUS？

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15楼
shalixi| | 2014-7-19 21:10 | 只看该作者
对这个问题，用BJT，快得多，驱动方式还简单。

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16楼
Harvard| | 2014-7-19 21:21 | 只看该作者
感觉不一定要用芯片或者pmos 可以直接用脉冲变压器啊

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17楼
鸟鸟| | 2014-7-19 23:41 | 只看该作者

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18楼
zjp8683463| | 2014-7-21 09:19 | 只看该作者
买IR系列的MOS驱动芯片就行了..

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