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Mos管驱动电流计算方法?

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maychang| | 2014-7-20 18:12 | 只看该作者
本帖最后由 maychang 于 2014-7-20 18:13 编辑

根据Qg计算。但Qg并非栅极电容,而是包括米勒效应在内栅极充电总电量(Total Gate Charge)。
从你的“公式I=Qg/t”来看,Qg也不具有电容量纲。

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luochangqing112|  楼主 | 2014-7-20 18:59 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-20 18:12
根据Qg计算。但Qg并非栅极电容,而是包括米勒效应在内栅极充电总电量(Total Gate Charge)。
从你的“公式I= ...

不好意思,是我写错了。是两个不同的概念。本想说是栅极电量。现在改过来

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luochangqing112|  楼主 | 2014-7-20 19:09 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-20 18:12
根据Qg计算。但Qg并非栅极电容,而是包括米勒效应在内栅极充电总电量(Total Gate Charge)。
从你的“公式I= ...

比如这个参数,我想要导通速度达到300ns,根据公式I=Qg/t=120/300=0.4A,    最大I=170/300=0.57A.是不是我提供驱动电流达到0.57就可以达到这个速度?或者驱动电流的大小还要考虑其它的因素?

CWUN%BP`Z0W13KG@ZHBAK{Q.jpg (157.82 KB )

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maychang| | 2014-7-20 19:19 | 只看该作者
luochangqing112 发表于 2014-7-20 19:09
比如这个参数,我想要导通速度达到300ns,根据公式I=Qg/t=120/300=0.4A,    最大I=170/300=0.57A.是不是我 ...

你要300ns,管子Rise Time有68ns,所以你的驱动能力应该在(300ns-68ns)内使管子导通。也就是说,驱动电流还需要更大一些。另外,该参数是Rg为2.7欧时测得,你的电路,Rg不能更大,至少要和2.7欧差不多。

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6
luochangqing112|  楼主 | 2014-7-20 19:41 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-20 19:19
你要300ns,管子Rise Time有68ns,所以你的驱动能力应该在(300ns-68ns)内使管子导通。也就是说,驱动电 ...

谢谢,这么热的天大周末的还给我回复。还有两点疑问,
1、根据参数,这个测试是在条件VGs=10V下获得的,如果我把VGs提高到15V,是不是这个电流还得在我计算0.57的基础是再增加1/3。
2、这个是单个mos的参数,如果我想再并联一个使用,是不是驱动电流在能驱动单管的基础上再增加一倍就可以?

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maychang| | 2014-7-20 19:57 | 只看该作者
luochangqing112 发表于 2014-7-20 19:41
谢谢,这么热的天大周末的还给我回复。还有两点疑问,
1、根据参数,这个测试是在条件VGs=10V下获得的, ...

1、没有1/3那么多。具体应该看你选用的管子datasheet中曲线。
2、两支并联,当然驱动电流加倍。但MOS管并联时需要注意在每管门极串联小电阻,以防寄生振荡。串联电阻后,将对管子开通速度产生影响(此电阻与管子输入电容构成一阶RC低通滤波)。

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zkybuaa| | 2014-7-21 08:12 | 只看该作者
以上的对话,应该是基于MOS漏极负载是个恒流源的情况。
而实际上,大部分情况下是个阻性或者感性的。
所以,你计算出来的电流驱动值是非常理想的情况,实际需要的,还要大的多。

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9
luochangqing112|  楼主 | 2014-7-21 09:28 | 只看该作者
zkybuaa 发表于 2014-7-21 08:12
以上的对话,应该是基于MOS漏极负载是个恒流源的情况。
而实际上,大部分情况下是个阻性或者感性的。
所以 ...

谢谢。

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luochangqing112|  楼主 | 2014-7-21 09:35 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-20 19:57
1、没有1/3那么多。具体应该看你选用的管子datasheet中曲线。
2、两支并联,当然驱动电流加倍。但MOS管并 ...

测得的mos开启波形,如图,是0V-4V时间为T1, 4V持续时间为T2,4V上升到15v的时间为T3,15v上升到18V的时间为T4,我们一般算mos开启速度,时间是从哪里算起,是从0V到最高值所需的时间T1+T2+T3+T4吗?

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11
demon_01| | 2015-9-27 17:54 | 只看该作者
图呢,坐等大神们的回复。

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lifevast01| | 2015-9-28 21:52 | 只看该作者
mos电压驱动型

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lwpsky| | 2015-11-21 13:07 | 只看该作者
mark

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天未微亮91| | 2016-3-10 17:08 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-20 18:12
根据Qg计算。但Qg并非栅极电容,而是包括米勒效应在内栅极充电总电量(Total Gate Charge)。
从你的“公式I= ...

看着别人都教您老师,我也叫您老师吧,老师,我现在正在学做一款电源,选用的管子是MOS管,现在要设计驱动,但是不知道从何下手。管子的驱动电流和驱动功率该如何计算呢?

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maychang| | 2016-3-10 18:15 | 只看该作者
天未微亮91 发表于 2016-3-10 17:08
看着别人都教您老师,我也叫您老师吧,老师,我现在正在学做一款电源,选用的管子是MOS管,现在要设计驱 ...


功率MOS管的datasheet一般都会提供这样的曲线。从此曲线上可以读出每次动作所需要充电或者放电的电量。根据每次动作充放电电量和动作时间(上升沿或者下降沿)以及开关频率可以得到驱动所需要的平均电流和瞬时最大电流。

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天未微亮91| | 2016-3-10 19:49 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-3-10 18:15
功率MOS管的datasheet一般都会提供这样的曲线。从此曲线上可以读出每次动作所需要充电或者放电的电量。 ...

那段平的表示管子开通了把

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maychang| | 2016-3-10 20:32 | 只看该作者
天未微亮91 发表于 2016-3-10 19:49
那段平的表示管子开通了把

那段接近水平的,就是MOS管开通过程。此段时间内,漏极电压逐渐降低(因此而产生米勒效应或者叫米勒电容)。

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18
天未微亮91| | 2016-3-10 20:43 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-3-10 20:32
那段接近水平的,就是MOS管开通过程。此段时间内,漏极电压逐渐降低(因此而产生米勒效应或者叫米勒电容) ...

那您看这张表,驱动电流是不是就是715/(170+50)=3.25A,有这么大么?

@9)STB[1J`]L8$AI3O)@CR8.png (42.97 KB )

@9)STB[1J`]L8$AI3O)@CR8.png

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maychang| | 2016-3-10 22:22 | 只看该作者
天未微亮91 发表于 2016-3-10 20:43
那您看这张表,驱动电流是不是就是715/(170+50)=3.25A,有这么大么?

没有这么大。
170ns和50ns等等,是管子的参数。170ns更是延迟时间,指接近理想的驱动脉冲施加到管子上之后延迟170ns管子电流上升到10A。表中50ns,是指接近理想的驱动脉冲施加到管子上,管子也要50ns时间才可以使漏极电流从10A上升到100A。实际电路中必定上升时间比50ns要长一些,例如200ns或者更长一些的时间。
不过,驱动电路的瞬时电流达到1A是很常见的,也就是说驱动电路的管子瞬时电流要够大。
但驱动电路平均电流却很小,数mA到数十mA,达到100mA的比较少见。

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天未微亮91| | 2016-3-12 13:34 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-3-10 22:22
没有这么大。
170ns和50ns等等,是管子的参数。170ns更是延迟时间,指接近理想的驱动脉冲施加到管子上之 ...

那开关频率和上升时间,下降时间有什么关系么?

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