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Mos管VGS波形疑问

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楼主
luochangqing112|  楼主 | 2014-7-24 20:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电压, 二极管, 回路, 并联
Mos采用高端驱动方式，源极接负载，图一是负载为阻性负载时，mos管VGS波形图。电压从15V降到负5V，然后上升到0V。
图二是负载为感性负载时的mos管VGS波形，负载两端已经并联了肖特基续流二极管，mos两端已经加吸收回路。电压从15V降到4V附近持续T1时间然后降到0V，这个T1时间随着负载电流的增加而延长，从几微秒到几时微妙。
现在的疑问是，当负载为感性时，mos的VGS关断波形是否正常？尤其是T1时刻？望有类似经历的前辈给指点下。

图形2.jpg (37.58 KB )

图形2.jpg

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沙发
Siderlee| | 2014-7-25 17:38 | 只看该作者
应该是正确的

感性负载存在没有弥勒平台的情况

MOSFET开关的动态过程分析.pdf

1.8 MB

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板凳
yk0yk| | 2014-7-25 21:59 | 只看该作者
谢谢楼主分享，学习了

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地板
luochangqing112|  楼主 | 2014-7-27 16:15 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2014-7-25 17:38
应该是正确的

感性负载存在没有弥勒平台的情况

我的正好相反啊，就是带小的感性负载或者阻性负载时，VGS、波形就是下面图一的波形。当带大的感性负载时，VGS波形就变成了上面的图二波形了。现在就是担心关断是T1那一段时间过长对mos有什么影响。而且这个T1随感性负载的增大而延长的。

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