摘要：未来的智能手机可能附带TB级存储空间，根据莱斯大学表示，相关研究团队已经花了五年时间，最终在室温下找到制造低电压阻性RAM（RRAM）方法，无需高温或高压条件。RRAM类似于目前在U盘、SSD存储当中采用的闪存芯片，它可以无需恒定电源存储数据，电阻式DRAM数据存储采用电阻而不是晶体管，信息密度比闪存芯片高出很多。 RRAM层也可以层叠，以进一步增加存储空间，目前，原型产品已经可以在邮票大小的芯片上存储多达1TB数据。
莱斯大学研究团队研发的方法是在一个二氧化硅层上蚀刻5纳米的孔，然后将这个个二氧化硅层放置在两个电极之间，施加电压来沉积金属。然后第二次充电破坏电极之间的连接，让硅充填到间隙当中，最后通过施加低电压脉冲来在硅间隙上存储数据。
虽然该技术距离在智能手机上实用仍然很远，但是已经引发内存生产商争夺这项技术。莱斯大学教授James Tour表示，内存制造商的技术授权将在两周内完成。
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