发新帖我要提问
返回列表
打印

请大家帮忙分析一个电路

[复制链接]
1934|11
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
joyme|  楼主 | 2014-7-30 17:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电路, 电机, 控制, IO, 全桥驱动
这个电路是另一个工程师设计的，我觉得会有些问题，单也不是很确定，想请大家讨论一下。控制信号F-PowerC是STM8的一个IO口输出，另有两个IO口控制电机正反转(全桥驱动方式)。一块PCB板上有六路电机驱动，每路又有这么一个单独控制电源的电路和全桥驱动，一台机器上有6块PCB板，总共控制36个电机。问题是放在机器上，机器断电后上电会偶尔有1-2个电机会动作。软件初始化IO配置为F-PowerC为低，全桥驱动为反转状态。现在猜想是上电到IO受控之前(MCU稳定工作前)电机被驱动了，首先，我认为R174的电阻取100K太大，这样三极管电流在50uA左右就饱和了，在30-40uA情况下P-MOS就会被驱动，就算按100倍放大倍数，三极管基极电流只要几百nA就能驱动P-MOS，会不会在静电、干扰，甚至静态电流下P-MOS就能导通呢？


使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
joyme|  楼主 | 2014-7-30 17:20 | 只看该作者
还没写完就发送了，STM8单片机的IO口默认为floadt input，即F-PowerC在上电到IO受控期间是悬空的，是否有可能因为我上面说的某些原因或元器件的某些差异性让P-MOS导通从而电机有动作，谢谢

使用特权

评论回复 赏
板凳
lymex| | 2014-7-30 17:33 | 只看该作者
C31要并联个1k电阻，这样不怕F-PowerC悬空。
另外，R124可以改成20k左右，基本不影响驱动，同时提高抗干扰能力。

使用特权

评论回复 赏
评论
gaohq 2014-8-12 17:22 回复TA
增大R124 能提高抗干扰能力，何解 ？ 
地板
maychang| | 2014-7-30 17:33 | 只看该作者
R125(2k)无必要，可以去掉(短路)。
R124可以用得稍小些，例如47k或22k。
R127太小，费电。可以大到上百k，至少应该比R124大若干倍，例如10倍。

使用特权

评论回复 赏
5楼
joyme|  楼主 | 2014-7-30 18:01 | 只看该作者
非常谢谢两位大佬指教，我一般设计R125是根据供电大小来分压的，像这种5V供电确实可以短路或者在P-MOS基极与三极管C极之间串个合适的小电阻，以保证Vgs在正常范围内

使用特权

评论回复 赏
6楼
ZG11211| | 2014-7-30 21:36 | 只看该作者
赞同3楼的意见。

使用特权

评论回复 赏
7楼
joyme|  楼主 | 2014-7-31 09:09 | 只看该作者
结贴了，有了你们的指导，我觉得有些底，因为PCB板已经做好，最简单的改动就是减小R124，和增大基极驱动电阻，再次感谢！

使用特权

评论回复 赏
8楼
GXL606| | 2014-7-31 11:12 | 只看该作者
三极管基极放电容可以保护三极管使其减小瞬间高破坏；如果再并电阻的话可以保证无信号时的误动作

使用特权

评论回复 赏
9楼
鸟鸟| | 2014-8-3 10:07 | 只看该作者
11

使用特权

评论回复 赏
10楼
linyibinleo| | 2014-8-12 16:30 | 只看该作者
问题提的好，解答的也好！

使用特权

评论回复 赏
11楼
wang_2003| | 2014-8-14 09:40 | 只看该作者

使用特权

评论回复 赏
12楼
戈卫东| | 2014-8-14 20:04 | 只看该作者
看实际需求。
这些电阻从几百欧到兆欧都可试试。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

joyme

51

主题

1289

帖子

0

粉丝