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驱动电路分析

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wyb780719|  楼主 | 2014-8-5 12:12 | 只看该作者
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zhlking| | 2014-8-5 12:19 | 只看该作者
T1和T2进入深度饱和了吗?R86值加大点,如何?

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lymex| | 2014-8-5 12:21 | 只看该作者
T1和T2是射随,导通的时候管压降比较大,有大概1V左右。可以改成共射开关方式,用NPN管反而好找一些。

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5
siyida| | 2014-8-5 14:49 | 只看该作者
b647的参数?... 电路还可以更简单

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wyb780719|  楼主 | 2014-8-5 16:33 | 只看该作者
lymex 发表于 2014-8-5 12:21
T1和T2是射随,导通的时候管压降比较大,有大概1V左右。可以改成共射开关方式,用NPN管反而好找一些。 ...

想知道这种并联使用的模式下,给T1T2基极提供多大的电流,可以驱动1.5A的负载
B647的参数:Ic=-1A,放大倍数60~320

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7
lymex| | 2014-8-5 16:51 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-5 16:33
想知道这种并联使用的模式下,给T1T2基极提供多大的电流,可以驱动1.5A的负载
B647的参数:Ic=-1A,放大 ...

一般是最小放大倍数,至少除上2,即放大倍数最多按30计算,这样基极电流最小为1.5A/30=50mA。

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8
xmar| | 2014-8-5 17:17 | 只看该作者

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lymex 2014-8-6 09:54 回复TA
这个电路很好,楼主可以按照这个来做 
9
chunyang| | 2014-8-5 17:48 | 只看该作者
想减少发热,开关元件要改成低导通内阻的MOS管。

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10
ZG11211| | 2014-8-5 20:46 | 只看该作者
这种接法,T1T2肯定不能进入饱和导通状态,发烫是肯定的。

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11
wyb780719|  楼主 | 2014-8-6 08:49 | 只看该作者
lymex 发表于 2014-8-5 16:51
一般是最小放大倍数,至少除上2,即放大倍数最多按30计算,这样基极电流最小为1.5A/30=50mA。
...

请问为什么除以2?管子并联后,放大能力会成倍缩小吗?谢谢

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12
wyb780719|  楼主 | 2014-8-6 08:52 | 只看该作者
chunyang 发表于 2014-8-5 17:48
想减少发热,开关元件要改成低导通内阻的MOS管。

测了下,导通后集电极电流1.34A,管子CE压降1.3V左右
曾将采取措施使导通电流下降至1A,结果管子CE压降上升到4V
虽然还能正常驱动负载,但是管子还是发烫

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13
gx_huang| | 2014-8-6 09:04 | 只看该作者
这么多管子,还不如一个MOS管便宜,导通压降也小。

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14
lymex| | 2014-8-6 09:17 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-6 08:49
请问为什么除以2?管子并联后,放大能力会成倍缩小吗?谢谢

除2是留余量,保证管子饱和。
很多管子饱和测量参数是Ic/Ib=10或20,高倍管或电流小时可以放宽。

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15
wh6ic| | 2014-8-6 09:43 | 只看该作者
Vce高达1.3V,说明前级驱动管9013没有进入开关饱和状态。R43仅360欧,光耦二极管侧电流不算小(5V时超过10mA,3.3V时也有6~7mA),按最低传输比40%计也有2~3mA可以用,R44、R45不影响这个最低传输电流值。
调过头来看B647侧,1.34A,按Hfe = 10 计,需要的驱动电流为134mA,9013的放大倍数仅需要5~60倍就可以满足进入饱和的要求,但现在没有达到。原因分析:
  1、 P2.0侧驱动不足,到不了计算中估计的6mA以上,查原因
  2、 光耦输出不足2mA,查原因
  3、 9013 放大倍数不足,这个可能性不大,现在一般能购到的9013 放大倍数一般大于100,用数字表测下倍数,查原因;
  4、 假货9013输出能力不足,换8050再试一试,或者9013 换成S2300等N型小场管
    这个电路理想的B647输出压降,应该 Vce 小于 0.8V(此时仍会有发热,换MOSFET方案,或者B647上加适当的散热片解决)
  5、 想让B647进入饱和,可以找个 -1V 或更低的负电源代替9013和R45的 12VGND,做的好时,B647的Vce会低于0.2V甚至0.1V。此时9013到B647间可能需要限流电阻。

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16
chunyang| | 2014-8-6 18:48 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-6 08:52
测了下,导通后集电极电流1.34A,管子CE压降1.3V左右
曾将采取措施使导通电流下降至1A,结果管子CE压降上 ...

管子不饱和,CE压降就会上升,作为开关电路,必须处于饱和/截止态,而负载的电流也不能随意改变。

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17
maychang| | 2014-8-6 19:21 | 只看该作者
楼主选择了射极输出,当然不能饱和,发热比较大是自然的。
要想发热量小,改用N沟MOS管比较理想,其次是NPN功率管。

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18
wyb780719|  楼主 | 2014-8-9 13:28 | 只看该作者
找了个8N60C场效应管代替了图中的管子,VDS=1.3V,ID=1.5A,约10秒钟之后还是有些烫
准备上继电器了,继电器不怕烫

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19
garin223| | 2014-8-11 17:37 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-9 13:28
找了个8N60C场效应管代替了图中的管子,VDS=1.3V,ID=1.5A,约10秒钟之后还是有些烫
准备上继电器了,继电 ...

你MOS管没有加散热器吗?不加散热器,功率器件肯定会热的啊。

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20
wyb780719|  楼主 | 2014-8-12 08:32 | 只看该作者
garin223 发表于 2014-8-11 17:37
你MOS管没有加散热器吗?不加散热器,功率器件肯定会热的啊。

没有加,受空间限制

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