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驱动电路分析

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楼主
wyb780719|  楼主 | 2014-8-4 15:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电路, 电路分析, 驱动电路, AC
本电路是用来驱动一个12V/1.5A的负载，实际工作中管子本身有些发烫
请高手指点图中各管子的参数怎么调整？

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沙发
wyb780719|  楼主 | 2014-8-5 12:12 | 只看该作者
自己顶下

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板凳
zhlking| | 2014-8-5 12:19 | 只看该作者
T1和T2进入深度饱和了吗？R86值加大点，如何？

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地板
lymex| | 2014-8-5 12:21 | 只看该作者
T1和T2是射随，导通的时候管压降比较大，有大概1V左右。可以改成共射开关方式，用NPN管反而好找一些。

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5楼
siyida| | 2014-8-5 14:49 | 只看该作者
b647的参数?... 电路还可以更简单

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6楼
wyb780719|  楼主 | 2014-8-5 16:33 | 只看该作者
lymex 发表于 2014-8-5 12:21
T1和T2是射随，导通的时候管压降比较大，有大概1V左右。可以改成共射开关方式，用NPN管反而好找一些。 ...

想知道这种并联使用的模式下，给T1T2基极提供多大的电流，可以驱动1.5A的负载
B647的参数：Ic=-1A，放大倍数60~320

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7楼
lymex| | 2014-8-5 16:51 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-5 16:33
想知道这种并联使用的模式下，给T1T2基极提供多大的电流，可以驱动1.5A的负载
B647的参数：Ic=-1A，放大 ...

一般是最小放大倍数，至少除上2，即放大倍数最多按30计算，这样基极电流最小为1.5A/30=50mA。

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8楼
xmar| | 2014-8-5 17:17 | 只看该作者

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lymex 2014-8-6 09:54 回复TA
这个电路很好，楼主可以按照这个来做 
9楼
chunyang| | 2014-8-5 17:48 | 只看该作者
想减少发热，开关元件要改成低导通内阻的MOS管。

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10楼
ZG11211| | 2014-8-5 20:46 | 只看该作者
这种接法，T1T2肯定不能进入饱和导通状态，发烫是肯定的。

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11楼
wyb780719|  楼主 | 2014-8-6 08:49 | 只看该作者
lymex 发表于 2014-8-5 16:51
一般是最小放大倍数，至少除上2，即放大倍数最多按30计算，这样基极电流最小为1.5A/30=50mA。
...

请问为什么除以2？管子并联后，放大能力会成倍缩小吗？谢谢

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12楼
wyb780719|  楼主 | 2014-8-6 08:52 | 只看该作者
chunyang 发表于 2014-8-5 17:48
想减少发热，开关元件要改成低导通内阻的MOS管。

测了下，导通后集电极电流1.34A，管子CE压降1.3V左右
曾将采取措施使导通电流下降至1A，结果管子CE压降上升到4V
虽然还能正常驱动负载，但是管子还是发烫

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13楼
gx_huang| | 2014-8-6 09:04 | 只看该作者
这么多管子，还不如一个MOS管便宜，导通压降也小。

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14楼
lymex| | 2014-8-6 09:17 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-6 08:49
请问为什么除以2？管子并联后，放大能力会成倍缩小吗？谢谢

除2是留余量，保证管子饱和。
很多管子饱和测量参数是Ic/Ib=10或20，高倍管或电流小时可以放宽。

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15楼
wh6ic| | 2014-8-6 09:43 | 只看该作者
Vce高达1.3V，说明前级驱动管9013没有进入开关饱和状态。R43仅360欧，光耦二极管侧电流不算小（5V时超过10mA，3.3V时也有6~7mA），按最低传输比40%计也有2~3mA可以用，R44、R45不影响这个最低传输电流值。
调过头来看B647侧，1.34A，按Hfe = 10 计，需要的驱动电流为134mA，9013的放大倍数仅需要5~60倍就可以满足进入饱和的要求，但现在没有达到。原因分析：
  1、 P2.0侧驱动不足，到不了计算中估计的6mA以上，查原因
  2、 光耦输出不足2mA，查原因
  3、 9013 放大倍数不足，这个可能性不大，现在一般能购到的9013 放大倍数一般大于100，用数字表测下倍数，查原因；
  4、 假货9013输出能力不足，换8050再试一试，或者9013 换成S2300等N型小场管
    这个电路理想的B647输出压降，应该 Vce 小于 0.8V（此时仍会有发热，换MOSFET方案，或者B647上加适当的散热片解决）
  5、 想让B647进入饱和，可以找个 -1V 或更低的负电源代替9013和R45的 12VGND，做的好时，B647的Vce会低于0.2V甚至0.1V。此时9013到B647间可能需要限流电阻。

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16楼
chunyang| | 2014-8-6 18:48 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-6 08:52
测了下，导通后集电极电流1.34A，管子CE压降1.3V左右
曾将采取措施使导通电流下降至1A，结果管子CE压降上 ...

管子不饱和，CE压降就会上升，作为开关电路，必须处于饱和/截止态，而负载的电流也不能随意改变。

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17楼
maychang| | 2014-8-6 19:21 | 只看该作者
楼主选择了射极输出，当然不能饱和，发热比较大是自然的。
要想发热量小，改用N沟MOS管比较理想，其次是NPN功率管。

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18楼
wyb780719|  楼主 | 2014-8-9 13:28 | 只看该作者
找了个8N60C场效应管代替了图中的管子，VDS=1.3V，ID=1.5A，约10秒钟之后还是有些烫
准备上继电器了，继电器不怕烫

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19楼
garin223| | 2014-8-11 17:37 | 只看该作者
wyb780719 发表于 2014-8-9 13:28
找了个8N60C场效应管代替了图中的管子，VDS=1.3V，ID=1.5A，约10秒钟之后还是有些烫
准备上继电器了，继电 ...

你MOS管没有加散热器吗？不加散热器，功率器件肯定会热的啊。

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20楼
wyb780719|  楼主 | 2014-8-12 08:32 | 只看该作者
garin223 发表于 2014-8-11 17:37
你MOS管没有加散热器吗？不加散热器，功率器件肯定会热的啊。

没有加，受空间限制

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