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反相器MOS管阻抗问题

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stefor|  楼主 | 2007-10-31 16:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
哎,今天刚上集成电路设计
一个地方搞不懂
下面两个NMOS管都是增强型(没画好)
书上说负载管(Q1)的阻抗一般是倒向管(Q2)阻抗的4~5倍
从而导致对电容的充放电时间相差4-5倍

问题是为什么阻抗要保持4~5倍呢
问别人,有人说是输入高电平时,利用阻抗比输出低电平
可是问题是,即使阻抗一样,也要输出低电平
因为通过负载管和倒向管的电流一样
一旦输出高电平必然使负载管道Vgs和Vds明显都比倒向管道少
电流也就远远低于倒向管
那么电流也就不平衡了

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沙发
stefor|  楼主 | 2007-10-31 16:21 | 只看该作者

Vout

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板凳
stefor|  楼主 | 2007-11-1 12:26 | 只看该作者

哪位大侠帮帮我啊…

……

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