GD32学习笔记-3 一SRAM与FLASH的区别

只看该作者 · 2014-8-5 10:12

一直以来，对SRAM和FLASH的区别没什么概念，今天百度找了半天，弄懂了一点点
1.flash写入的内容不会因电源关闭而失去，读取速度慢，成本较低，一般用作程序存储器或者低速数据读取的情况。
2.sram有最快的读写速度，但电源掉落后其内容也会失去，价格昂贵，一般用作cpu的二级缓存，内存条也不用这个，适合高速数据读取的场合。
两者的关系为flash为ROM，sram为RAM。

只看该作者 · 2014-8-5 10:16

GD32F103xx 系列微控制器提供最大 20kB 的片上 SRAM，起始地址为 0x2000 0000。片上 SRAM支持按字节（8 位对齐）访问、按半字（16 位对齐）访问、按字（32 位对齐）访问。
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定义结构体变量的时候，基本不用考虑字节对齐的问题了
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只看该作者 · 2014-8-5 10:21

本帖最后由 sunmeat 于 2014-8-6 10:50 编辑

Flash 存储器可以单次编程一个半字（16 位）或一个字（32 位）。Flash 存储器的每个页都可以分别擦除。
/******
对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则； GD32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的，而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位/或者32位的一个字宽，允许跨页写，写入其他位时会导致数据错误
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只看该作者 · 2014-8-6 10:52

这里顺便看了看STM32的手册，手册的原话是这么写的

即STM32一次只能写16个字，GD32可以一次写16位/或者32位

只看该作者 · 2014-8-7 13:59

又学到东西了

GD32学习笔记-3 一SRAM与FLASH的区别

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