GD32学习笔记4-FLASH的读写

只看该作者 · 2014-8-5 10:58

本帖最后由 sunmeat 于 2014-8-5 11:13 编辑

FLASH分为两种，NOR Flash和NAND FLASH，GD32中的FLASH属于NOR Flash，两者的区别如下：

NOR Flash：
1.程序和数据可存放在同一片芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机地读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至ＲＡＭ中再执行
2.可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。

只看该作者 · 2014-8-5 11:00

NAND FLASH
1.以页为单位进行读写操作，1页为256B或512B；以块为单位进行擦除操作，1块为4KB、8KB或16KB。具有快编程和快擦除的功能
2.数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程
3.芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器
4.芯片存储位错误率较高，推荐使用 ECC校验，并包含有冗余块，其数目大概占1%，当某个存储块发生错误后可以进行标注，并以冗余块代替
5.Samsung、TOSHIBA和Fujistu三家公司支持采用NAND技术NAND Flash。目前，Samsung公司推出的最大存储容量可达8Gbit。NAND 主要作为SmartMedia卡、Compact Flash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为Flash磁盘技术的核心。