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7323
2万
管理员
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2014-8-5 17:43 上传
使用特权
696
3万
10万
总工程师
2782
1万
6万
版主
1
106
0
实习生
16
259
783
高级技术员
1180
11万
935
8万
378
4015
76
779
2410
初级工程师
858
2721
23
364
禁止发言
专家回复:目前单管IGBT没有1700V的计划,1700v模块产品的芯片技术与单管不同代
5
5185
资深工程师
302
7539
专家回复:现已推出1200V和1350V 20A, 650V 20A 40A 50A, 后续将推出更高电压等级和更多电流等级的产品
专家回复:逆导IGBT是一种新的IGBT技术,它将IGBT和Diode芯片集成在一起,而不是传统的两颗芯片。因此在实现应用所需要功能的同时成本会降低。
专家回复:开关和导通损耗进一步降低
专家回复:IGBT的损耗分为开关损耗与导通损耗两部分,与工作的电流电压以及开关频率有关系,具体计算公式请参考相应的应用指南
专家回复:当然适用,可靠性是一个系统性的话题,因此会涉及到方方面面,IGBT只是其中一个因素而已。
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