功率场效应晶体管简称功率MOS管,是电压控制型器件。主要特点是电压控制,输入阻抗高,功率增益高,驱动功率小,开关的速度快,开关时间由寄生电容决定,因此其应用广泛。但是,由于其本身寄生电容的存在,会影响MOS管的导通、关断的时间,使其控制的可靠性降低,烧坏的可能性增大。
一种电机MOS管的驱动电路,该电路适合高频信号开关控制电路
率MOSFET属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加的电压超过其阈值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容,关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小,关断速度较快,但它不能提供负压,故其抗干扰性较差。
高速开关应用中常见的MOSFET驱动电路，以一对互补的BJT构成射随器的形式满足驱动电流的要求。其中VT1用于开启式对寄生电容的充电，VT2用于关断时对寄生电容的放电。
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