LTC4352 采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。
LTC4352 负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快速关断将最大限度地减小反向电流。
该控制器可采用 2.9V 至 18V 的工作电源。当电压较低时，需要在 VCC 引脚上布设一个外部电源。在欠压或过压条件下，电源通路被禁用。这款控制器还具有一个开路 MOSFET 检测电路，如果在接通状态中传输晶体管两端的电压降过大，则该检测电路将发出指示信号。一个 REV 引脚用于启用反向电流，在需要的时候可取代二极管的作用。
下面是两片LTC4352组成双冗余电路：
此系统中有两片LTC4352组成双电源冗余，此电路支持过压保护，欠压保护，非均流电路。
系统中的单mos和双mos的作用:
在冗余电源的应用电路中，MOSFET的连接方向与常规不同。以N沟道管为例，连接电路应如图3所示。如果电源输入电压高于负载电源电压，即Vi>Vout，电流由Vi流向Vout。由于是冗余电源应用，负载电源电压Vout可能会高于电源输入电压Vi，这时由外部电路控制MOSFET栅极关断源、漏通路，同时由于内部二极管的反向阻断作用，使负载电源不能倒流回输入电源。
如果需要通过控制信号直接控制关断MOSFET通路，上述的单管就无法实现，因为关断MOSFET沟道之后，内部的二极管还存在单向通路。这时需要如图4所示的2个背靠背反向连接的MOSFET电路，只有这样才能主动地关断电流通路。 | 
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