弱问NMOS驱动电路

只看该作者 · 2014-8-20 16:31

想用单片机控制负载工作通断
单片机IO电压3.3V，负载工作电压36V，电流8A，手上有个MOS管，型号是STP60NF10,请问：
1.能否用这个MOS管来实现我的需求？
2.是否需要加光耦？如果需要加光耦，有没有推荐的型号？
3.MOS管怎么接？有哪些注意事项

3万 · 2014-8-20 17:33

1.能否用这个MOS管来实现我的需求？
从电压电流容量看，可以。

2.是否需要加光耦？如果需要加光耦，有没有推荐的型号？
是否需要加光耦，要看你的单片机电源(3.3V)和负载电源(36V)是否共地(共用负端)。
如果需要加光耦，光耦型号主要由你需要的开关速度决定。通常对负载的开关速度要求并不高，若确实要求不高，那么普通光耦即可。

3.MOS管怎么接？有哪些注意事项
先要决定是否使用光耦，然后才谈得到怎么接。
当然，控制负载通断，一般是要将MOS管与负载串联。负载如果不是纯电阻(有电感或电容性)，还需要注意续流或限流。

只看该作者 · 2014-8-20 17:46

maychang 发表于 2014-8-20 17:33
1.能否用这个MOS管来实现我的需求？
从电压电流容量看，可以。

接到电路中是共地的

只看该作者 · 2014-8-20 17:58

单片机IO电压3.3V，所以不能直接驱动MOS，栅极电压应该要在10V电压等级，驱动电路还得稍微考虑以下。

1万 · 2014-8-20 18:29

排山倒海发表于 2014-8-20 17:58
单片机IO电压3.3V，所以不能直接驱动MOS，栅极电压应该要在10V电压等级，驱动电路还得稍微考虑以下。 ...

有3V左右的。等吧。

只看该作者 · 2014-8-20 19:06

共地也能用光耦，就是失去隔离效果，当开关用
或者三极管

只看该作者 · 2014-8-20 19:42

我觉得你要用过光耦的话，还想要一路电源

只看该作者 · 2014-8-21 09:42

京江自动化发表于 2014-8-20 19:42
我觉得你要用过光耦的话，还想要一路电源

不好意思没看懂

只看该作者 · 2014-8-21 09:45

排山倒海发表于 2014-8-20 17:58
单片机IO电压3.3V，所以不能直接驱动MOS，栅极电压应该要在10V电压等级，驱动电路还得稍微考虑以下。 ...

栅极电压应该要在10V电压等级，为什么？
这个型号的MOS管2V就可以导通了

只看该作者 · 2014-8-21 10:08

最坏情况下可是需要4V才能导通的，
你敢保证3.3V所有的管子都能可靠导通么？

只看该作者 · 2014-8-21 10:09

TopV 发表于 2014-8-21 10:08
最坏情况下可是需要4V才能导通的，
你敢保证3.3V所有的管子都能可靠导通么？ ...

所以，你的建议是？

只看该作者 · 2014-8-21 10:15

TopV 发表于 2014-8-21 10:08
最坏情况下可是需要4V才能导通的，
你敢保证3.3V所有的管子都能可靠导通么？ ...

你的理解错了
最大的驱动电压时3.3v

只看该作者 · 2014-8-21 10:15

京江自动化发表于 2014-8-21 10:15
你的理解错了
最大的驱动电压时3.3v

是4v

只看该作者 · 2014-8-21 10:34

本帖最后由 TopV 于 2014-8-21 10:38 编辑

tirimisu 发表于 2014-8-21 10:09
所以，你的建议是？

要可靠导通，需要VGS尽量大于4V！不要用3.3V直接驱动mos
从图上看，如果你的电流不大的话，应该也可以，试试吧，vgs能高点最好了

只看该作者 · 2014-8-21 12:57

tirimisu 发表于 2014-8-21 09:45
栅极电压应该要在10V电压等级，为什么？
这个型号的MOS管2V就可以导通了

VGS(th)只是MOS管小电流时的电压，注意测试条件是250uA，要让MOS饱和导通需要较高电压，RDS(on)测试条件是10V。

退一步说即便你错误理解VGS(th)是饱和导通的驱动电压，2V也是最小值而已，要保证批量没问题是要参考最大值4V并且留裕量。很多新手工程师都不明白这样基本的设计原理。

只看该作者 · 2014-8-21 13:35

排山倒海发表于 2014-8-21 12:57
VGS(th)只是MOS管小电流时的电压，注意测试条件是250uA，要让MOS饱和导通需要较高电压，RDS(on)测试条件 ...

设计的时候按照保证导通电压至少为4V时来设计，是这个意思吧？

3万 · 2014-8-21 13:49

tirimisu 发表于 2014-8-21 13:35
设计的时候按照保证导通电压至少为4V时来设计，是这个意思吧？

绝对不是这个意思。
你9搂贴出的手册上说最小2V、典型3V、最大4V，是漏极电流250uA时的GS间电压。你买到的管子，漏极电流250uA时，GS间电压在2V～4V之间都是合格的。
当你需要漏极电流达到8A时，GS之间电压要比2～4V大得多才可能实现8A漏极电流。
具体需要GS之间电压达到多少，漏极电流才能够达到8A，可以计算。计算时需要知道该管跨导这个参数。
但实际上并不需要计算，反正你是作开关用，GS之间电压大一些没有关系。所以4楼排山倒海告诉你用到10V，没有错。

只看该作者 · 2014-8-21 14:43

maychang 发表于 2014-8-21 13:49
绝对不是这个意思。
你9搂贴出的手册上说最小2V、典型3V、最大4V，是漏极电流250uA时的GS间电压。你买到 ...

原来是这么回事儿~多谢指点~

只看该作者 · 2014-8-21 15:18

MOS管驱动也好麻烦。借问一下，现在的NMOS管焊接时不采取防静电措施容易不容易坏？

3万 · 2014-8-21 16:57

yhn1973 发表于 2014-8-21 15:18
MOS管驱动也好麻烦。借问一下，现在的NMOS管焊接时不采取防静电措施容易不容易坏？ ...

NMOS管焊接时不采取防静电措施很容易损坏，尤其是烙铁外壳未接地时。

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