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【经验分享】flash中一次编程区域操作讲解 一，一次编程区域描述 一次编程区域是芯片提供的一块具有64个字节，可以供用户存储数据的flash。这个区域对应芯片本身来说，终生只能写一次，然后就只可以进行读操作。写进去的数据无法擦除，所以操作的时候一定要三思而后行。这块flash是以8个字节为块的，也就是说64个字节一共有8块，每次操作都是针对8个字节为单位的。下面以我们的K64F120M的芯片为例，具体讲解该区域内容。 支持这块区域的操作一共有两种命令，分别为：一次读命令（0x41）以及一次写命令（0x43）. 1, 一次读命令 执行一次读命令可以读出一次编程区域的8个字节的数据。控制命令与寄存器对应情况如下： 写完命令（其实只需要写FCCOB0和FCCOB1）之后，需要通过清除FTFE_FSTAT来发起一次区域读命令，然后读出来的值就会刷新到FCCOB4-B的寄存器中，用户只需要读取该寄存器的值即可。这里需要注意，FCCOB1的值范围只有0x00-0x07，因为我们的一次编程区域只有8块，每块8字节。读操作指令没有限制，可以无限次读。 2, 一次编程命令 执行一次编程命令，可以对一次编程区域的8个字节写入用户想要的数据。 一次编程控制命令与寄存器对应情况如下： 写命令需要在FCCOB0写入0X43，FCCOB1写入要写数据的块号，写完命令之后，需要通过清除FTFE_FSTAT来发起一次区域读命令，然后寄存器FCCOB4-B中的数据就会永久的写入到一次编程区域，再也不能进行第二次编程以及擦除，数据对于芯片来说终身存在。 二，一次编程区域读写实现 下面讲解如何使用代码实现一次编程区域的读与写操作。 1, 一次读命令操作 这里以读第一个块为例，即块号为0，不同的块，只需要改变块号就行，代码操作如下： FTFE_FCCOB0 = FTFE_FCCOB0_CCOBn(0x41); // Selects the PGMPART command FTFE_FCCOB1 = 0x00;//选择读取第0块 /*All required FCCOBx registers are written, so launch the command */ FTFE_FSTAT = FTFE_FSTAT_CCIF_MASK; /*Wait for the command to complete */ while(!(FTFE_FSTAT &FTFE_FSTAT_CCIF_MASK)); //存值 RecBuf[0]= FTFE_FCCOB4; RecBuf[1]= FTFE_FCCOB5; RecBuf[2]= FTFE_FCCOB6; RecBuf[3]= FTFE_FCCOB7; RecBuf[4]= FTFE_FCCOB8; RecBuf[5]= FTFE_FCCOB9; RecBuf[6]= FTFE_FCCOBA; RecBuf[7]= FTFE_FCCOBB; 通过以上的代码，就可以实现第一个块的读操作，最终读的值又放到了RecBuf数组中保存。 2, 一次编程命令操作 这里同样以第一个块为例，即块号为0，不同的块，只需要改变块号就行，代码操作如下： FTFE_FCCOB0 = FTFE_FCCOB0_CCOBn(0x43); // Selects the PGMPART command FTFE_FCCOB1 = 0x00;//选择块号 FTFE_FCCOB4 = 0x00; //write data FTFE_FCCOB5 = 0x00; FTFE_FCCOB6 = 0x00; FTFE_FCCOB7 = 0x00; FTFE_FCCOB8 = 0x00; FTFE_FCCOB9 = 0x00; FTFE_FCCOBA = 0x00; FTFE_FCCOBB = 0x00; //*All required FCCOBx registers are written, so launch the command FTFE_FSTAT = FTFE_FSTAT_CCIF_MASK; while(!(FTFE_FSTAT& FTFE_FSTAT_CCIF_MASK)); 通过以上操作，就可以实现第一个块数据为0的写操作。 三，一次编程区域读写实例测试 本次测试的硬件平台是TWR-K64F120M, 软件平台是飞思卡尔的CW10.6。这里操作两个块，块号分别为0,1.对于0号的8个字节写入全0，对于1号写入1-8的数据。 1. 0号块写入全0读出的结果
2. 1号块写之前读的结果 3. 1号块写入1-8数据读的结果 从寄存器中可以看到，读写的结果和预期的操作结果一直，当然本例程还做了用串口中直接发出读取的结果值，可以通过串口助手查看。 四，附件
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