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MOSFET与IGBT选型事宜

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flyicdsp|  楼主 | 2014-8-23 09:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
siyida| | 2014-8-23 09:23 | 只看该作者
可以这么说;但高压MOS的电流偏低

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板凳
flyicdsp|  楼主 | 2014-8-23 09:54 | 只看该作者
所以说是中小功率。如果从可靠性角度来说,是不是MOS也更好一些,因为它耐过流的能力要强一些?

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地板
shalixi| | 2014-8-23 10:08 | 只看该作者
siyida 发表于 2014-8-23 09:23
可以这么说;但高压MOS的电流偏低

MOS可以用简单并联解决电流偏低的问题。

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siyida| | 2014-8-23 10:15 | 只看该作者
这个没问题,我做的200A电动汽车电机驱动器,就用8个50A并联

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mwxpk| | 2014-8-23 10:24 | 只看该作者
8个50A多钱?拆机件??高

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7
siyida| | 2014-8-23 10:47 | 只看该作者
你按3倍过载去计算

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siyida| | 2014-8-23 10:49 | 只看该作者
50A的MOS 去FAIRCHILD,英飞凌官网找

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9
mmuuss586| | 2014-8-23 15:42 | 只看该作者
siyida 发表于 2014-8-23 10:15
这个没问题,我做的200A电动汽车电机驱动器,就用8个50A并联

直接并联吗?
还是加了均流电路;

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10
siyida| | 2014-8-23 16:23 | 只看该作者
直接并联,驱动信号1转8并联驱动

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11
yuxiang2008| | 2014-8-23 22:18 | 只看该作者
siyida 发表于 2014-8-23 16:23
直接并联,驱动信号1转8并联驱动

1转8用什么芯片?

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12
siyida| | 2014-8-25 09:09 | 只看该作者
用光藕串联,15V电源

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xueweianying| | 2014-8-26 22:52 | 只看该作者
没搞过这么大电流、这么大功率的

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