再次公布双向可控硅内部等效电路，

登录 · 发表于 2014-8-28 16:58

本帖最后由 manbo789 于 2014-9-1 08:36 编辑

有这么多人不懂双向可控硅？再次公布双向可控硅内部等效电路，自己琢磨的，仅供参考，欢迎批评指正，

发表于 2014-8-29 09:47

这不烧的一塌胡涂

发表于 2014-8-29 09:50

PowerAnts 发表于 2014-8-29 09:47
这不烧的一塌胡涂

为什么会烧得一塌糊涂？

发表于 2014-8-29 09:57

BJT的BE反向击穿电压，最多7V

发表于 2014-8-29 10:57

PowerAnts 发表于 2014-8-29 09:57
BJT的BE反向击穿电压，最多7V

这里画的只是为了方便理解的内部等效电路图，这里面画的三极管性能可能与常用的分立三极管并不完全相同，

我猜测，如果发射极使用与集电极使用相同的制作工艺，是不是BE结就像BC结一样能承受高反压，只是放大能力没有那么强了？

发表于 2014-8-29 11:10

我是基于下面这个结构画的电路图，

发表于 2014-8-29 14:26

喜欢琢磨还是要鼓励一下的。

来，点个赞吧！

发表于 2014-8-29 16:43

从结构上可以立即看出T1极、T2极不能交换使用，反而T1极、G极看上去可以交换使用，

发表于 2020-6-14 20:03

能否加个qq或者微信啊，想请教您点双向可控硅的问题，谢谢！

发表于 2021-12-11 18:33

你这图好像也有问题，第二象限如果gate信号不消失，打不开

[技术讨论] 再次公布双向可控硅内部等效电路，