对于场效应管与三极管的区别,TTL电路与CMOS电路的区别不是太清楚，下面两条看来似乎是矛盾的，到底哪个速度快？不知道如何解释。
（１）MOSFET的开关速度大于三极管的开关速度：
当要三极管打开的时候，在基极中存在复合因子低的大量少数载流子，开关在闭合之前要对它们进行处理，换言之，与所有少数载流子器件相关的存储电荷问题限制了最大工作速度。
MOSFET作为多数载流子器件，不存在已存储的少数电荷问题，因此，其工作频率要高得多。可见MOSFET开关速度要比三极管的速度快的多，适合于用在高频应用中。
（２）TTL电路的速度比CMOS电路的速度快:
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)。
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