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推挽驱动 感性负载感应电动势高压

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本帖最后由 PowerAnts 于 2014-10-9 10:29 编辑

有没有做过这种带感性负载的电路,电路图如下,驱动的开关频率10MHz,反向电动势漏极产生很高的电压啊,容易烧坏管子,怎么解决啊?
电源电压30V,产生的感应电动势有上百伏啊,使用MOS管两端增加续流二极管也不顶用,用的二极管反向恢复速度不够,很难找到合适的。

QQ截图20140905210534.jpg (60.01 KB )

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沙发
loy357lzc|  楼主 | 2014-9-5 21:15 | 只看该作者
VS是30V

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shalixi| | 2014-9-5 21:45 | 只看该作者
加大C17,19,提高Q1,2的电压。

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loy357lzc|  楼主 | 2014-9-5 22:02 | 只看该作者
shalixi 发表于 2014-9-5 21:45
加大C17,19,提高Q1,2的电压。

Q1,Q2电压没法提高,找不到开关速度这么快,还耐压高的器件,C17,,19加大了,增加了开关损耗,发热厉害

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5
maychang| | 2014-9-5 23:32 | 只看该作者
10MHz,为什么要用这么高频率?

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airwill| | 2014-9-6 06:41 | 只看该作者
如果 T1 两半桥电感对称的话, 那么关断时的感应电势应该相同.
如果 半桥感应电压超高 VS, 那么另外半桥 MOS 的体二极管会导通. 所以反向电动势应该不会超高1倍的 VS.
MOS 管的耐压应该2倍的 VS 就够了, 反向电动势不应该有上百伏啊?

也许 C17, C19 起的作用, 干脆拿走, 或者用耐压 60V 以上的超快恢复或肖特基二极管

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7
chen_jhhb| | 2014-9-6 07:27 | 只看该作者
二极管加的位置不对,应该加在Vcc和ti、t2之间,另外mos管要尽可能靠近t1、t2

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8
Lgz2006| | 2014-9-6 08:15 | 只看该作者
你是开关工作?
怎知是反电势击穿?
负载是何物,有何(驱动波形)要求?
R08N50A耐压多大?

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maychang| | 2014-9-6 18:16 | 只看该作者
这种电路,与MOS管并联的二极管可以限制另一侧的MOS管正向电压。理论上MOS管上电压最高是电源电压的二倍。
然而这仅仅是理论值,条件是变压器两半初级之间漏感为零。漏感为零当然是做不到的,只能尽量减小。所以MOS管关断时承受的电压比二倍电源电压要高。两半初级之间漏感越大,MOS管关断时需要承受的电压越高。
估计楼主的变压器绕制时未采取特殊措施来降低两半初级之间的漏感。

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loy357lzc|  楼主 | 2014-9-7 20:51 | 只看该作者
airwill 发表于 2014-9-6 06:41
如果 T1 两半桥电感对称的话, 那么关断时的感应电势应该相同.
如果 半桥感应电压超高 VS, 那么另外半桥 MOS ...

这个不是半桥,是推挽输出,看MOS管的箭头,超快恢复二极管也速度不够,反向恢复时间不够。

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11
loy357lzc|  楼主 | 2014-9-7 20:53 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-9-6 08:15
你是开关工作?
怎知是反电势击穿?
负载是何物,有何(驱动波形)要求?

开关工作,推挽输出,负载是LC谐振负载,通过变压器 MOS管耐压是100V,电源电压30V。

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12
loy357lzc|  楼主 | 2014-9-7 20:56 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-9-5 23:32
10MHz,为什么要用这么高频率?

负载是频率很窄的LC谐振电路,是一种压电晶体,所以频率要求很精确,光是找开关速度10M的MOS就花费了很大心血。

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13
ybluleezp| | 2014-9-8 19:22 | 只看该作者
看我的,经过实际检验的。

不过我的频率没10M,只有50K。

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14
zyj9490| | 2014-9-8 20:13 | 只看该作者
加RC阻容网络肖耗漏能。

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15
Lgz2006| | 2014-9-8 21:07 | 只看该作者
“实际检验”是什么概念?一款成熟电路?

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16
maychang| | 2014-9-9 11:08 | 只看该作者
loy357lzc 发表于 2014-9-7 20:56
负载是频率很窄的LC谐振电路,是一种压电晶体,所以频率要求很精确,光是找开关速度10M的MOS就花费了很大 ...

“负载是频率很窄的LC谐振电路,是一种压电晶体”
这是很困难的事。
谐振电路,频率差一点点,负载就可以表现为很大的电感或者很大的电容,其阻抗变化也非常大。

估计你管子损坏的原因,还是在变压器两半之间漏感以及初级次级之间漏感上。

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17
chen_jhhb| | 2014-9-9 11:18 | 只看该作者
看来还没有结论

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18
loy357lzc|  楼主 | 2014-9-9 15:26 | 只看该作者
ybluleezp 发表于 2014-9-8 19:22
看我的,经过实际检验的。

不过我的频率没10M,只有50K。

你这个RC参数怎么计算呢,我加了RCD缓冲电路实验,可能参数没调好,没什么效果

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19
loy357lzc|  楼主 | 2014-9-9 15:30 | 只看该作者
ybluleezp 发表于 2014-9-8 19:22
看我的,经过实际检验的。

不过我的频率没10M,只有50K。

你这个电路下面的电阻起什么作用,直接连电容不行吗?还有工作电流多大呀

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ybluleezp| | 2014-9-10 21:37 | 只看该作者
loy357lzc 发表于 2014-9-9 15:30
你这个电路下面的电阻起什么作用,直接连电容不行吗?还有工作电流多大呀 ...

R起延迟MOS管导通的时间,我们用的工作电流4A没问题。我们变压器的漏感在1700uH左右。

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