本帖最后由 21ic小管家 于 2014-9-16 11:37 编辑
活动主题：寻宝 TI FAQ ！
活动时间：9月12日——9月23日（节假日除外）
活动规则：
1、 每个工作日我们会从TI提供的FAQ文档中选取一段内容，网友根据选取的内容从FAQ文档中寻找。2、 网友寻找到相应内容后，截图发布在主题帖下。格式不能有任何变动，否则无效。
活动奖励：
1、 最快寻宝奖——第一个正确找出并截图跟帖发表的网友，获得小音响 2、 幸运奖2名——从当日所有跟帖的网友中随机抽取，获得小音响
注：每个帐号只有一次获奖资格
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9月12日 寻宝 TI FAQ
搜索内容：与 FRAM 不同，闪存/EEPROM 采用浮栅电荷存储设计，该设计需要高电压和昂贵的、需要大量电能且占空间的电路，例如晶体管和充电泵。 所有这些传统高压电路的局限性在于不易于升级到越来越小的 IC 处理节点制造工艺。 此外，TI 先进的 130 纳米 (nm) FRAM 制造工艺生产出的芯片比大多数基于闪存和 EEPROM 的嵌入式微处理器所使用的 180 – 220 nm 节点尺寸更小，从而使 FRAM 产品在尺寸、性能和功效方面具有巨大优势。 更需指出的是，FRAM 制造工艺能够与数字 CMOS 工艺完全兼容，从而使该技术在将来可轻松升级到更小的技术节点。
9月12日领奖
第一个正确找出的网友—— 2楼 @mylsf
抽取两名幸运网友—— 11楼 @man2man 40楼 @1638574407
请以上获奖网友将自己的个人信息（姓名、手机号码、公司名称、详细地址、论坛ID号、获得奖项）发邮件到bbs@21ic.com申请领奖！标题为：TI FAQ寻宝领奖。 | 
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