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epitaxial junction n_channel field effect transistor是什么类型JFET

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446267568|  楼主 | 2014-9-14 16:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
channel, Epitaxial, FET, junction, Transistor
epitaxial junction n_channel field effect transistor是增强型JFET么？还是耗尽型啊？

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沙发
Siderlee| | 2014-9-14 17:21 | 只看该作者
我查到的：
1）epitaxial junction是一种生产半导体产品的工艺，不光在mosfet，家一些高频以前上也有用到；
2）我没有查到  外延结 和mosfet是增强型还是耗尽型的直接关系
   我个人感觉没有直接关系

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板凳
446267568|  楼主 | 2014-9-14 17:30 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2014-9-14 17:21
我查到的：
1）epitaxial junction是一种生产半导体产品的工艺，不光在mosfet，家一些高频以前上也有用到； ...

CP666-CP666D.pdf (231.85 KB)
附件是数据手册，里面VGS（Off）是2-10V，一般耗尽型的应该是负的，我在网上查的资料显示增强型的JFET也有，只是比较少，在一些书上说JFET好像只有耗尽型的。手册中的管子用来构成差分放大的

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地板
Lgz2006| | 2014-9-14 18:23 | 只看该作者
J型只可能是耗尽型

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5楼
Siderlee| | 2014-9-14 18:27 | 只看该作者
446267568 发表于 2014-9-14 17:30
附件是数据手册，里面VGS（Off）是2-10V，一般耗尽型的应该是负的，我在网上查的资料显示增强型的JFET也 ...

射频  线性放大

IRF，英飞凌应该都有

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6楼
Siderlee| | 2014-9-14 18:31 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-9-14 18:23
J型只可能是耗尽型

对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET；一般，不使用增强型JFET（E-JFET）——在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。这主要是由于长沟道E-JFET在使用时较难以产生出导电的沟道、从而导通性能不好的缘故。不过，由于高速、低功耗电路中应用的需要，有时也需要采用E-JFET。


http://baike.baidu.com/view/2851690.htm?from_id=6577845&type=syn&fromtitle=JFET&fr=aladdin

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7楼
Lgz2006| | 2014-9-15 06:47 | 只看该作者
看来老朽真该隐退了

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评论
huayuliang 2014-9-15 08:09 回复TA
·····没人能比得上搜索引擎的。 
8楼
xukun977| | 2014-9-15 09:56 | 只看该作者
理论上有可能，栅级掺杂足够高，沟道足够窄，零偏就能夹断！

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9楼
Siderlee| | 2014-9-15 14:05 | 只看该作者
本帖最后由 Siderlee 于 2014-9-15 14:12 编辑
Lgz2006 发表于 2014-9-15 06:47
看来老朽真该隐退了

呵呵

现学现卖，就是不确定对还是不对

好多东西其实都是看过的，但是真是记不住

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