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[电路/定理]

为什么Q8、Q9发烫好厉害？？

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楼主
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-20 22:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
升压, 压电, 电路, 逆变, 升压电路
本帖最后由 奋进2013号 于 2014-9-20 22:06 编辑

我最近设计一个逆变的升压电路，但是不知道为什么Q8、Q9发烫好厉害？？

逆变.PNG (43.58 KB )

逆变.PNG

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沙发
Siderlee| | 2014-9-20 22:10 | 只看该作者
这是驱动 部分。。。。

驱动能力放大的

用的什么封装啊

估计是散热能力不足了

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板凳
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-20 22:12 | 只看该作者
8550

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地板
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-20 22:13 | 只看该作者
我仿真过了发烫三极管的输入电流不大，只有20ma左右

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5楼
446267568| | 2014-9-21 09:34 | 只看该作者
PWM0端口的驱动电流是多少，感觉是端口驱动不足，而驱动MOS时电流比较大，单片机的端口电流超过20ma的比较少，三极管没饱和，

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6楼
宋业科| | 2014-9-21 10:38 | 只看该作者
这个图感觉好奇怪。

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7楼
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-21 16:05 | 只看该作者
446267568 发表于 2014-9-21 09:34
PWM0端口的驱动电流是多少，感觉是端口驱动不足，而驱动MOS时电流比较大，单片机的端口电流超过20ma的比较 ...

输入那电压是3.3V，三极管要怎样子才能饱和的

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8楼
446267568| | 2014-9-21 18:06 | 只看该作者
奋进2013号 发表于 2014-9-21 16:05
输入那电压是3.3V，三极管要怎样子才能饱和的

增大基极电流，我前几天用8050驱动12V，150ma的风扇，基极电压3.3V，基极电阻300R时三极管发烫，基极减小到50R时才可以。驱动MOS时瞬间电流应该更大，你把60KHz信号用个三极管跟随一下试试

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9楼
xmar| | 2014-9-22 16:09 | 只看该作者
Q8、Q9静态工作点不对；

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10楼
ZG11211| | 2014-9-22 21:03 | 只看该作者
本帖最后由 ZG11211 于 2014-9-22 21:06 编辑

两个管子在某个时间段出现了同时导通可以尝试在Q8Q9的BE极接入合适的电阻。

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11楼
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-22 21:16 | 只看该作者
king5555 发表于 2014-9-22 18:34
信號60KHz就不可忽視Q6及Q7結電容Ccb和Cbe,必須在Q8和Q9的基射极並聯電阻。

Q8和Q9的基射极並聯電阻后果然不热了。但是Q6始终会发烫，这是什么原因，请指教

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12楼
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-22 21:27 | 只看该作者
king5555 发表于 2014-9-22 21:23
連到PWM0的電阻降低一些，或者改成兩顆電阻使其分別串在Q6及Q7的射极上。

那个电阻只有22欧，还要低吗，可以解释下吗，谢谢。

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13楼
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-22 22:27 | 只看该作者
king5555 发表于 2014-9-22 21:45
看不清楚圖有所偏差了。主因是Q6壓降來自12V加上22歐上電流得到可觀功率，最好Q6集极串電阻。否則如上樓改 ...

是在Q6的集极和Q8的基极之间串联一个电阻吗

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14楼
xmar| | 2014-9-23 11:38 | 只看该作者

改成这个。

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15楼
奋进2013号|  楼主 | 2014-9-23 19:18 | 只看该作者
xmar 发表于 2014-9-23 11:38
改成这个。

你好，我试过在Q8的E、B之间并联一个电阻，Q8还是发烫很厉害，注明一点：我测试时pwm输入的是60khz,占空比为48%的方波。求解，麻烦给我个好的解决方案，有劳。

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16楼
xmar| | 2014-9-24 08:26 | 只看该作者
奋进2013号 发表于 2014-9-23 19:18
你好，我试过在Q8的E、B之间并联一个电阻，Q8还是发烫很厉害，注明一点：我测试时pwm输入的是60khz,占空 ...

参考17楼图，把R13从220R改成10K，然后并联220pF的电容。目的就是减小Q8、Q9电流。

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17楼
xmar| | 2014-9-24 15:25 | 只看该作者
king5555 发表于 2014-9-24 12:09
不曉得為何不用一般的電路。

17楼电路输出幅度更大，轨对轨。还有输出波形陡峭。

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18楼
yangdiandong| | 2014-10-9 16:46 | 只看该作者
增加死区时间，死区时间不够长。会出现同时导通的情形。

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19楼
william008| | 2014-10-10 10:44 | 只看该作者
不知道你的电路为什么这么设计
R17和Q10提供一个负反馈的通路，使得Q8和Q9在稳态时处于线性区，并没有完全饱和，所以当然很烫。
你可以示波器量Q8和Q9的C极波形，可以验证Q8Q9有没有饱和。

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20楼
william008| | 2014-10-10 10:45 | 只看该作者
MOS管有成熟的驱动电路或驱动芯片，不知道你为什么要自创一派

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