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两个IGBT管子并联,容易烧,怎么办?

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楼主: shurenfa
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Lgz2006| | 2014-9-23 07:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
shurenfa 发表于 2014-9-22 15:52
我试过使用更大脉冲电流(400A)的IGBT并联,还是会发生损坏的情况

那么,合乎逻辑的第一推断就是“浪涌不止400”
至少,“管子的损毁主要与并联无关”结论更符合事实

几个技术问题阐明
1.IGBT两G极应直接并联,共用一个驱动电阻。你们FAE错了
2.E极应有串接元件均流,管脚可串磁珠

另有个人品问题,1.不要理会DS的胡言乱语;2.海东和张老的见解要多听

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光晔秋秋| | 2014-9-23 08:09 | 只看该作者
电流超额,另,因为生产工艺误差,在某一瞬间不可能两个IGBT均流(不做其他电路处理),另,可以试着加大33欧姆,减小打开时间,不过这样IGBT发热量会加大,建议用单一个IGBT(大电流),加大33欧姆电阻。

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 08:24 | 只看该作者
导师1OO0 发表于 2014-9-23 00:19
并联不是为了均流。

而是为了 扩大电流。

确定哪个电阻大小?

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 08:37 | 只看该作者
光晔秋秋 发表于 2014-9-23 08:09
电流超额,另,因为生产工艺误差,在某一瞬间不可能两个IGBT均流(不做其他电路处理),另,可以试着加大33 ...

加大33Ω,应该是增加打开时间吧?有什么好处?

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 08:38 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-9-23 03:51
300V供电电压,再串联300k欧电阻,并联20k欧电阻,近似恒流源驱动。
你这个电路能够100us上升沿? ...

你的意思就是G极控制信号的上升时间太缓?即开关打开时间太慢了?
应该开关速度快些会好点吗?

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HORSE7812| | 2014-9-23 08:59 | 只看该作者
学习

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 09:13 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-9-23 03:51
300V供电电压,再串联300k欧电阻,并联20k欧电阻,近似恒流源驱动。
你这个电路能够100us上升沿? ...

我测过了,上升沿时间还是比较短的,大概小于10us,下降沿缓一些,约40us

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ocon| | 2014-9-23 09:15 | 只看该作者
你用300K的电阻给两个巨大的栅极电容充电,这得充到什么时候啊。。。建议使用TLP250、PC923、PC929直接驱动,或者像前面说的上可控硅。

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zzyfidy| | 2014-9-23 09:21 | 只看该作者
即使两个IGBT同时开启,也不会均分电流,因为每一个IGBT的内阻不一样。

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shalixi| | 2014-9-23 09:47 | 只看该作者
shurenfa 发表于 2014-9-22 23:23

这里没有均流。拿掉G上的两个33试试看。

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 10:03 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-9-23 03:51
300V供电电压,再串联300k欧电阻,并联20k欧电阻,近似恒流源驱动。
你这个电路能够100us上升沿? ...

不好意思,补充一点,上升沿抖的原因是我在光耦的CE之间并了个22uf的电容,所以导通瞬间不需要从300V拉电流,而直接从电容取电,所以上升沿可以很抖。
我试过去掉电容,则上升很缓很缓~

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 10:37 | 只看该作者
更正,不是光耦的CE之间,是光耦的C和GND之间并了22uf电容

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hate232313| | 2014-9-23 10:38 | 只看该作者
学习了~~~~

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yikeshu921| | 2014-9-23 10:40 | 只看该作者
学习!

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PowerAnts| | 2014-9-23 10:42 | 只看该作者
楼主用IGBT,想必是控制闪光的能量。现代可控闪光指数的照相机闪光灯,便是用IGBT控制导通时间,从50uS到5mS分级闪光,获得不同的指数。

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corset| | 2014-9-23 11:33 | 只看该作者
估计LZ连IGBT是怎么烧的,现在都还不清楚。

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 11:38 | 只看该作者
corset 发表于 2014-9-23 11:33
估计LZ连IGBT是怎么烧的,现在都还不清楚。

本质原因是过流么

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-23 11:38 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2014-9-23 10:42
楼主用IGBT,想必是控制闪光的能量。现代可控闪光指数的照相机闪光灯,便是用IGBT控制导通时间,从50uS到5m ...

是的

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corset| | 2014-9-23 11:41 | 只看该作者
shurenfa 发表于 2014-9-23 11:38
本质原因是过流么

不是过流。G极信号上升沿较慢,IGBT处于放大状态,导通电阻过大,R*电流,管子就容易烧。所以网友们才提醒你控制信号应该处理。

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siyida| | 2014-9-23 11:51 | 只看该作者
半天才弄出个不入门的图 ,和一些不知所谓的条件,戏弄大家阿

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