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【TI FAQ】+TI MCU的工艺技术?

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心愿wish|  楼主 | 2014-9-22 15:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 心愿wish 于 2014-9-22 15:37 编辑

TI MCU的工艺技术?
TI MCU 的基础在于TI的工艺技术,其中包括三个主要组成要素:
非易失性存储器
低功耗
节点中的模拟
TI 不断开拓创新,突破极限,确保我们的微控制器设计采用最佳的工艺技术。
130 纳米工艺
通过采用 FRAM(铁电随机存取存储器),使读/写速度加快 100,000 倍而不消耗额外电池电力,从而在超低功耗下进行实时数据收集。
65 纳米工艺
TI 是唯一采用 65 纳米工艺的制造商,提供同类中最佳的 ULL(超低漏电)。此工艺节点使性能直线提升,带来更高的频率或更高的时钟速率,适用于仍然消耗相对较低功耗的高性能应用。
未来节点
TI 始终高瞻远瞩,不断寻求工艺技术的下一重大特色 — 我们在这一领域从不停下创新脚步。

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