mos管发热问题

发表于 2014-10-8 10:05

5V单片机给100K pwm驱动一个MOS，基极为1K时候，GS并联100K，MOS发热严重。
基极为470R，GS并联10K，没问题，是什么影响发热的。同一个MOS。是基极电流太小了？
我用的PWM，应该是方波，但是测试G是锯齿波，是不是输入电容970p导致的？
如果我要替换这个MOS，但是输入才170pf，是不是GS并联一个102的电容就有锯齿波了？

发表于 2014-10-8 10:29

MOS管发热，是因为1k电阻太大，与输入电容构成的RC电路时间常数太大，MOS管不能在极短时间内充份导通。
另外，MOS管没有什么“基极”，说“基极”是错误的。

发表于 2014-10-8 12:43

如果我要替换这个MOS，但是输入才170pf，是不是GS并联一个102的电容就有锯齿波了？

是的，不过通常做法是尽量减小锯齿部分，提高开关速度以减小开关损耗发热。

发表于 2014-10-8 14:10

把门极（G极）串的电阻减小到几十欧姆就没事了，1K电阻过大，导致MOS管开关过程很长，损耗大导致的，与漏源并联的电阻无关。

发表于 2014-10-8 14:14

另外与晶体管的电流驱动特性不同，MOS管属于电压驱动型器件，开关瞬间对前级的驱动能力有一定要求。

发表于 2014-10-8 14:15

楼上说的很好，学习了。

发表于 2014-10-8 19:15

同意3楼的意见，栅极电阻有些过大，可以换个可调电位器，调整好了在换成定值的

发表于 2014-10-8 20:05

王栋春发表于 2014-10-8 19:15
同意3楼的意见，栅极电阻有些过大，可以换个可调电位器，调整好了在换成定值的 ...

此电阻根本无须“调整”。
须知此电阻目的是防止分布参数引起的自激振荡或者虽未自激但是衰减的振荡。只要元件和布线安排合理，电路没有自激也没有衰减振荡，这个电阻甚至可以不用(短路)。但电路板未做出来时，往往不知道电路工作如何，所以通常如5楼所说使用一支数十欧的电阻。如果电路布局合理，此电阻可能减小到零，此时MOS管开关是最快的。

发表于 2014-10-8 21:25

mos管没有可靠的导通和截止。具体的驱动电压和电流是多少？？

发表于 2014-10-8 22:13

学习

发表于 2014-10-8 22:34

理论方波，输出有锯齿波，很明显有积分电路的存在。

发表于 2014-10-9 08:39

MOS管的驱动电压最大为15V（具体的你可以查一下管子的datasheet），一般10-15V就可以保证管子处于开通状态。驱动电流只是为了给门极电容充电，门极电阻越小，该电流峰值越大，但脉冲宽度也就越小，你看到的门极曲线是个电容的充放电曲线的原因就在此。如同9楼说的，电阻越小，管子导通月快，但由于分布参数，会产生开关尖峰及振铃的存在。你采用1k的电阻，开关部分就不会产生尖峰和振铃，缺点是管子损耗加大，所以这需要一个平衡。常规上是加一个十几到几十欧姆的电阻，配合漏源之间的吸收电路，保证管子损耗小，又工作在安全状态下。

发表于 2014-10-9 09:06

maychang 发表于 2014-10-8 10:29
MOS管发热，是因为1k电阻太大，与输入电容构成的RC电路时间常数太大，MOS管不能在极短时间内充份导通。
另 ...

同样条件下换成D882，也会发热。D882不是RC了吧。电路最大电流0.3A，是不是内阻引起的？三极管不适用于高频开关么？不过看规格书也有M级的开关速度。主要是损耗太大所以用MOS？

发表于 2014-10-9 10:06

qhtflsw 发表于 2014-10-9 09:06
同样条件下换成D882，也会发热。D882不是RC了吧。电路最大电流0.3A，是不是内阻引起的？三极管不适用于高 ...

MOS和BJT岂能随便换用？录制器件对驱动要求完全不同。随便换用，不冒烟是你走运，如果是较大功率设备，管子很可能炸掉。

发表于 2014-10-9 19:49

maychang 发表于 2014-10-8 20:05
此电阻根本无须“调整”。
须知此电阻目的是防止分布参数引起的自激振荡或者虽未自激但是衰减的振荡。只 ...

谢谢赐教，受益颇多

发表于 2014-10-9 20:12

mos管发热有两个原因：开关损耗和导通损耗。上升沿和下降沿一般都有，你尽可能降低。

[电子元器件] mos管发热问题

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