分析该技术演进并明确MOSFET要求后,就能明白器件技术发展的主要推动因素。在图2a的基本沟道栅极结构中,通过增加沟道的宽度/长度比,便可以降低导通阻抗。而按图2b所示在沟道底部延伸氧化层厚度,就能够提高开关速度和增大CGS/ CGD比率。最终的设定就如图2c所示,在沟道的栅极下部额外嵌入一个电极,以增加漂移区电荷,从而降低导通阻抗;并且同时降低CGD,提高开关速度,并改变CGS /CGD比率,藉此最大限度地防止直通。
图2:a)传统沟道栅极功率MOSFET;b)沟道底部氧化层加厚的沟道MOSFET;c)增添屏蔽电极的沟道MOSFET。
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