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[电路/定理]

CMOS 反相器构成的多谐振荡器的震荡频率计算

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icekoor|  楼主 | 2014-10-19 16:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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shalixi| | 2014-10-19 19:23 | 只看该作者
CMOS翻转电压按1/3,2/3的Vcc计算。

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板凳
airwill| | 2014-10-20 13:40 | 只看该作者
好象比较复杂,应该跟电源,电路速度,输入回滞,还有 RC 参数有关。

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地板
icekoor|  楼主 | 2014-10-21 09:21 | 只看该作者
shalixi 发表于 2014-10-19 19:23
CMOS翻转电压按1/3,2/3的Vcc计算。

COM反相器采用的是CD4069,它的手册如下:


手册上说,CD4069的最大输入低电平电压,最小输入高电平电压分别为0.2VDD,0.8VDD;

因此反转电压应该按照0.2VDD,0.8VDD计算;

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icekoor|  楼主 | 2014-10-21 09:26 | 只看该作者
振荡频率的计算已经搞明白了,改天分享给大家;

PS:其实数字电路书上有详细的介绍,请查阅以下两节:

1.单稳态触发器的工作原理
2.多谐振荡器

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shalixi| | 2014-10-21 09:27 | 只看该作者
icekoor 发表于 2014-10-21 09:21
COM反相器采用的是CD4069,它的手册如下:

最大输入低电平电压,最小输入高电平电压与翻转电压是两回事,一个是确保状态的电压;一个是众数所在,是统计概念。

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7
william008| | 2014-10-21 10:51 | 只看该作者
icekoor 发表于 2014-10-21 09:21
COM反相器采用的是CD4069,它的手册如下:

6楼说得对。  
在一般数字电路里,是应该按0.2VDD和0.8VDD计算。
在这个电路里,仅仅作为仿真计算的话,应该按0.5VDD来算翻转电压
实际电路里,翻转电压受器件离散性和温度等因素影响,存在于一个范围,是个统计概念

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