DDR3 地址组VTT上拉等长的问题？

只看该作者 · 2014-10-26 16:05

本帖最后由 iampeter 于 2014-10-26 16:53 编辑

最近在布一个DDR3的片子，以前使用的都是LPDDR，可以不用VTT上拉，直接所有线组等长即可。
现在使用的DDR3的片子追求质量要求VTT上拉，我已经把所有的线都做了等长，最后把地址组的都接到VTT上拉上，接好后再将地址组的十多根线等长，不知道这样行不行？
还有我的DDR的数据组和时钟组都是870mil，地址组本来也是870mil，由于要接上拉电阻T型走线，线长了变为了1040mil。，不知道这样可以不？内存是海力士的DDR3 800M！
大家讨论一下吧！！！
下面是我画的各层走线，底层左下角有几个组派就是VTT的上拉电阻。我是把所有的线都等长完了，再画的VTT上拉。打算随便找个地址组上面的过孔就往VTT电阻上面连，连接完了再做地址组等长，不知道可行不？还有地址组比其他组长可行不？

只看该作者 · 2014-10-27 12:32

pcbpp 发表于 2014-10-27 09:50

什么意思？怎么笑而不语啊！！！

只看该作者 · 2014-10-27 14:43

本帖最后由 Jigong 于 2014-10-27 14:53 编辑

你说的1040mil应该是总长，重要的是从处理器焊盘到内存焊盘的距离，应该拿后者跟其它信号比。
我也没有做过上拉，刚才查了我正在用的一个处理器的文档，说是在内存之后上拉，即不要在处理器与内存之间上拉。去内存的分叉应该越短越好。楼主可以查看处理器文档的内存控制器部分。