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STC15W408AS - 35I SOP28 外部晶振抗干扰能力如何?(已通过在5楼

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楼主
本帖最后由 lantian5451 于 2014-10-28 16:31 编辑

   


我做个时间继电器,之前用的是STC12C5A16AD的,因为价格问题现在换成STC15W408AS,
测试脉冲群:

STC12C5A16AD;  外部晶振,4KV    50ns     100HZ (最大频率,也许我们仪器上标错了)     3分钟可以正常工作
STC15W408AS  ; 外部晶振, 2KV    50ns    100HZ(最大频率,也许我们仪器上标错了)      3分钟可以正常工作
STC15W408AS  ; 外部晶振,3KV        PV值和SV值会无规律的被修改,有死机,复位,内部定时器不工作(时间不走,按键能操作)


STC15W408AS ; 内部RC震荡,4KV         100HZ (最大频率,也许我们仪器上标错了)     3分钟可以正常工作

用外部晶振原因;内部RC在常温下,计时误差:每小时一秒左右,在可接受范围:60度环境下工作误差大得够呛。我们是工控产品,工作环境都比较高。

先上图再继续提问、、、、、

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沙发
lantian5451|  楼主 | 2014-10-28 11:00 | 只看该作者
   已确定是外部晶振受干扰:以下用几种调试手段,有所消弱,但问题依旧不能满意
1,将晶振靠近VCC部分割掉,把晶振移开远离VCC,抗干扰能从原来的3KV提高的3.3KV
2,将27P电容改为54P,抗干扰能从原来的3.3KV提高的3.4KV
3,将单片机10脚用1.5平方的铜带皮导线接地,抗干扰能从原来的3.4KV提高的3.6KV

从数据上看,最大问题是VCC太靠近晶振,也正在STC12C5A16AD,能通测试的原因吧;


请问大侠们有没有好解决方案,,,谢谢先,在线等    。。。

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板凳
lantian5451|  楼主 | 2014-10-28 11:31 | 只看该作者
clarkzh 发表于 2014-10-28 11:27
十分震惊你是在做工控。。。OMG

是菜鸟,所以设计得比较差,请多指教、、、楼上有好的方案分享吗?

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地板
xyz549040622| | 2014-10-28 11:59 | 只看该作者
感觉画的板子问题,应该和芯片没关系

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lantian5451 + 1
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lantian5451|  楼主 | 2014-10-28 16:26 | 只看该作者
本帖最后由 lantian5451 于 2014-10-28 16:33 编辑
xyz549040622 发表于 2014-10-28 11:59
感觉画的板子问题,应该和芯片没关系

谢谢版主!问题勉强通过了,100%是设计问题、、、

试了好几种方法都不行,不小心受碰到接近开关,发现有异常,最后断定
干扰信号主要在电源(VCC和12V)上;
解决的办法是,除了二楼我所述的方法外,
在12V和12V地之间,在VCC和GND之间,加个103独石电容,而且位置很重要、、从电源板进入主板的位置。

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lantian5451|  楼主 | 2014-10-28 16:29 | 只看该作者
请问如何结贴呀?:lol

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7
llxius| | 2014-10-28 16:34 | 只看该作者
学习

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xyz549040622| | 2014-10-28 17:32 | 只看该作者
最上面的一行,点击我要结贴

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lantian5451|  楼主 | 2014-10-28 18:05 | 只看该作者
都没看到?

I@AE@RJ9JT(OO9H[E$LS}}N.jpg (1.03 MB )

I@AE@RJ9JT(OO9H[E$LS}}N.jpg

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10
xjjspace| | 2014-10-28 20:58 | 只看该作者
lantian5451 发表于 2014-10-28 18:05
都没看到?

貌似要一段时间后才可以结贴

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11
dirtwillfly| | 2014-10-28 21:25 | 只看该作者
lantian5451 发表于 2014-10-28 16:29
请问如何结贴呀?

结贴方法:https://bbs.21ic.com/icview-442857-1-1.html

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12
coody| | 2014-10-28 21:36 | 只看该作者
LZ这样的问题我觉得非常的奇怪。
我经常去专门的测试公司测试产品,看到去做EFT测试的都是在做布板改动,磁环、磁珠、共扼电感、差模电感、X电容、Y电容等等。。。。

而在电磁兼容测试,才有人说起晶振的问题。。。

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13
排山倒海| | 2014-10-28 22:58 | 只看该作者
应该是100kHz,《电子产品设计EMC风险评估》中有说明:

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14
排山倒海| | 2014-10-28 23:16 | 只看该作者
《EMC设计与测试案例分析》有对EFT的分析:

《EMC设计与测试案例分析》EFT.pdf (257.74 KB)

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15
visani| | 2014-10-28 23:19 | 只看该作者
现在用STC蛮多的,支持

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16
排山倒海| | 2014-10-28 23:31 | 只看该作者
lantian5451 发表于 2014-10-28 11:00
已确定是外部晶振受干扰:以下用几种调试手段,有所消弱,但问题依旧不能满意
1,将晶振靠近VCC部分割掉 ...

没明白“将晶振靠近VCC部分割掉”,割掉PCB铜箔?
“27P电容改为54P”,晶振负载电容更改对晶振频率有影响的吧?
从增加晶振电路本身抗干扰的角度考虑,我感觉负载电容接地铜箔没有直接连接104电容引脚有影响,应该让晶振电路尽可能离芯片去耦电容104越近越好。但是楼主有整改测试结果“将晶振靠近VCC部分割掉,把晶振移开远离VCC,抗干扰能从原来的3KV提高的3.3KV”,我很疑惑。

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17
lantian5451|  楼主 | 2014-10-29 08:59 | 只看该作者
coody 发表于 2014-10-28 21:36
LZ这样的问题我觉得非常的奇怪。
我经常去专门的测试公司测试产品,看到去做EFT测试的都是在做布板改动,磁 ...

谢谢您!我是今年上半年才听说脉冲群这个词的,对干扰源还在孵化阶段,所有的测试都是凭着感觉去做没有理论依据、、、、、

我是这样分析的不知道对不对:
1、晶振是属于数字信号,数字信号容易受干扰。因为用手摸晶振引脚的时候单片机就工作不正常。
2、在做脉冲群测试的时候用示波器检测VCC,在平稳的5V里个一段时间,会有一条尖尖的幅值很大的买冲出     现,我认为它是干扰的罪魁祸首。尝试过电容滤波,都拿它没办法。
3、用内部RC震荡可以过4KV,12C5A16AD用外部晶振也可以过4KV,不同的是12C5A16AD的VCC引脚距离XTAL1引脚比15W408AS要远很多、、、、

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18
lantian5451|  楼主 | 2014-10-29 09:11 | 只看该作者
排山倒海 发表于 2014-10-28 23:31
没明白“将晶振靠近VCC部分割掉”,割掉PCB铜箔?
“27P电容改为54P”,晶振负载电容更改对晶振频率有影 ...

谢谢您热情回答!
1、是的
2、改27P是想改晶振幅值(显然效果不明显,这个方案等改好板后再测试)
3、“我感觉负载电容接地铜箔没有直接连接104电容引脚有影响”这句话我不是很理解,你所指的负载是不是单片机或数字芯片?我的单片机有旁路电容的。
4、“将晶振靠近VCC部分割掉,把晶振移开远离VCC”主要是考虑VCC有传导或辐射干扰。
期待继续讨论、、、

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lantian5451|  楼主 | 2014-10-29 09:18 | 只看该作者
另外再发个AD芯片受干扰的、、、

D%P8Z@](MDC_LS8)%TX3OWO.jpg (53.63 KB )

D%P8Z@](MDC_LS8)%TX3OWO.jpg

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lantian5451|  楼主 | 2014-10-29 09:30 | 只看该作者
lantian5451 发表于 2014-10-29 09:18
另外再发个AD芯片受干扰的、、、

这个我感觉和晶振受干扰有类似低地方,
这个是做一个温度采集转换送往单片机的。
脉冲测试1.5KV就不行了,PV乱跳幅度很大,我看到有些资料说,有些AD芯片内部带有低通滤波器。所以我就在SCLK和DATA处分别用一介RC滤波,可以达到2KV,这个问题到现在还没解决,产品负责人也不当回事,照常生产。好怕怕:funk:

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