STC15W408AS - 35I SOP28 外部晶振抗干扰能力如何？（已通过在5楼

只看该作者 · 2014-10-28 10:45

本帖最后由 lantian5451 于 2014-10-28 16:31 编辑

我做个时间继电器，之前用的是STC12C5A16AD的,因为价格问题现在换成STC15W408AS，
测试脉冲群：

STC12C5A16AD;  外部晶振，4KV 50ns    100HZ (最大频率，也许我们仪器上标错了)    3分钟可以正常工作
STC15W408AS  ; 外部晶振， 2KV 50ns 100HZ(最大频率，也许我们仪器上标错了)    3分钟可以正常工作
STC15W408AS  ; 外部晶振，3KV       PV值和SV值会无规律的被修改，有死机，复位，内部定时器不工作（时间不走，按键能操作）

STC15W408AS ; 内部RC震荡，4KV       100HZ (最大频率，也许我们仪器上标错了)    3分钟可以正常工作

用外部晶振原因；内部RC在常温下，计时误差:每小时一秒左右，在可接受范围：60度环境下工作误差大得够呛。我们是工控产品，工作环境都比较高。

先上图再继续提问、、、、、

只看该作者 · 2014-10-28 11:00

已确定是外部晶振受干扰：以下用几种调试手段，有所消弱，但问题依旧不能满意
1，将晶振靠近VCC部分割掉，把晶振移开远离VCC，抗干扰能从原来的3KV提高的3.3KV
2，将27P电容改为54P，抗干扰能从原来的3.3KV提高的3.4KV
3，将单片机10脚用1.5平方的铜带皮导线接地，抗干扰能从原来的3.4KV提高的3.6KV

从数据上看，最大问题是VCC太靠近晶振，也正在STC12C5A16AD,能通测试的原因吧；

请问大侠们有没有好解决方案，，，谢谢先，在线等。。。

只看该作者 · 2014-10-28 11:31

clarkzh 发表于 2014-10-28 11:27
十分震惊你是在做工控。。。OMG

是菜鸟，所以设计得比较差，请多指教、、、楼上有好的方案分享吗？

1万 · 2014-10-28 11:59

感觉画的板子问题，应该和芯片没关系

只看该作者 · 2014-10-28 16:26

本帖最后由 lantian5451 于 2014-10-28 16:33 编辑

xyz549040622 发表于 2014-10-28 11:59
感觉画的板子问题，应该和芯片没关系

谢谢版主！问题勉强通过了，100%是设计问题、、、

试了好几种方法都不行，不小心受碰到接近开关，发现有异常，最后断定
干扰信号主要在电源（VCC和12V）上；
解决的办法是，除了二楼我所述的方法外，
在12V和12V地之间，在VCC和GND之间，加个103独石电容,而且位置很重要、、从电源板进入主板的位置。

只看该作者 · 2014-10-28 16:29

请问如何结贴呀？:lol

只看该作者 · 2014-10-28 16:34

学习

1万 · 2014-10-28 17:32

最上面的一行，点击我要结贴

只看该作者 · 2014-10-28 18:05

都没看到？

只看该作者 · 2014-10-28 20:58

lantian5451 发表于 2014-10-28 18:05
都没看到？

貌似要一段时间后才可以结贴

3万 · 2014-10-28 21:25

lantian5451 发表于 2014-10-28 16:29
请问如何结贴呀？

结贴方法：https://bbs.21ic.com/icview-442857-1-1.html

2万 · 2014-10-28 21:36

LZ这样的问题我觉得非常的奇怪。
我经常去专门的测试公司测试产品，看到去做EFT测试的都是在做布板改动，磁环、磁珠、共扼电感、差模电感、X电容、Y电容等等。。。。

而在电磁兼容测试，才有人说起晶振的问题。。。

只看该作者 · 2014-10-28 22:58

应该是100kHz，《电子产品设计EMC风险评估》中有说明：

只看该作者 · 2014-10-28 23:16

《EMC设计与测试案例分析》有对EFT的分析：

《EMC设计与测试案例分析》EFT.pdf (257.74 KB)

只看该作者 · 2014-10-28 23:19

现在用STC蛮多的，支持

只看该作者 · 2014-10-28 23:31

lantian5451 发表于 2014-10-28 11:00
已确定是外部晶振受干扰：以下用几种调试手段，有所消弱，但问题依旧不能满意
1，将晶振靠近VCC部分割掉 ...

没明白“将晶振靠近VCC部分割掉”，割掉PCB铜箔？
“27P电容改为54P”，晶振负载电容更改对晶振频率有影响的吧？
从增加晶振电路本身抗干扰的角度考虑，我感觉负载电容接地铜箔没有直接连接104电容引脚有影响，应该让晶振电路尽可能离芯片去耦电容104越近越好。但是楼主有整改测试结果“将晶振靠近VCC部分割掉，把晶振移开远离VCC，抗干扰能从原来的3KV提高的3.3KV”，我很疑惑。

只看该作者 · 2014-10-29 08:59

coody 发表于 2014-10-28 21:36
LZ这样的问题我觉得非常的奇怪。
我经常去专门的测试公司测试产品，看到去做EFT测试的都是在做布板改动，磁 ...

谢谢您！我是今年上半年才听说脉冲群这个词的，对干扰源还在孵化阶段，所有的测试都是凭着感觉去做没有理论依据、、、、、

我是这样分析的不知道对不对：
1、晶振是属于数字信号，数字信号容易受干扰。因为用手摸晶振引脚的时候单片机就工作不正常。
2、在做脉冲群测试的时候用示波器检测VCC，在平稳的5V里个一段时间，会有一条尖尖的幅值很大的买冲出现，我认为它是干扰的罪魁祸首。尝试过电容滤波，都拿它没办法。
3、用内部RC震荡可以过4KV，12C5A16AD用外部晶振也可以过4KV，不同的是12C5A16AD的VCC引脚距离XTAL1引脚比15W408AS要远很多、、、、

只看该作者 · 2014-10-29 09:11

排山倒海发表于 2014-10-28 23:31
没明白“将晶振靠近VCC部分割掉”，割掉PCB铜箔？
“27P电容改为54P”，晶振负载电容更改对晶振频率有影 ...

谢谢您热情回答！
1、是的
2、改27P是想改晶振幅值（显然效果不明显，这个方案等改好板后再测试）
3、“我感觉负载电容接地铜箔没有直接连接104电容引脚有影响”这句话我不是很理解，你所指的负载是不是单片机或数字芯片？我的单片机有旁路电容的。
4、“将晶振靠近VCC部分割掉，把晶振移开远离VCC”主要是考虑VCC有传导或辐射干扰。
期待继续讨论、、、

只看该作者 · 2014-10-29 09:18

另外再发个AD芯片受干扰的、、、

只看该作者 · 2014-10-29 09:30

lantian5451 发表于 2014-10-29 09:18
另外再发个AD芯片受干扰的、、、

这个我感觉和晶振受干扰有类似低地方，
这个是做一个温度采集转换送往单片机的。
脉冲测试1.5KV就不行了，PV乱跳幅度很大，我看到有些资料说，有些AD芯片内部带有低通滤波器。所以我就在SCLK和DATA处分别用一介RC滤波，可以达到2KV，这个问题到现在还没解决，产品负责人也不当回事，照常生产。好怕怕:funk:

STC15W408AS - 35I SOP28 外部晶振抗干扰能力如何？（已通过在5楼

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