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DM8148的电源和地(二)

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market1234|  楼主 | 2014-10-29 13:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
3. 电源3.1 电压和电源域

    每个模块都属于核逻辑电压域(CoreLogic Voltage)、内存电压域(Memory Voltage Domain)和电源域(Power Domain)。



3.1.1 核逻辑电压域

    器件包含4个核逻辑电压域,这些域定义一组模块共享同一个供电电压为其内核逻辑供电。每个核逻辑电压域由一个专用的电源供电,表7-2描述了内核逻辑电压域和它们相关的供电脚。

    注意:每个内核逻辑电压域必须始终供电,而不管内核逻辑电源域状态如何。



3.1.2 内存电压域

        每个模块里的SRAM被分配为4个内存电压域之一,每个内存电压域的电压由内部LDO独立控制,由VDDA_1P8脚提供电源。

        LDO的输出电压可以通过控制模块中的RAMLDO_CTRLx寄存器来编程,内存电压域电压必须基于该域的内核逻辑电压域电压来编程,也就是说对应于ARM_M电压域的内核逻辑电压域ARM_C等等,表7-3显示了内存电压域电压要求:



3.1.3 电源域

         器件包括6个电源域,它为相关模块的内核逻辑和SRAM供电,除了ALWAYSON域,其它电源域都有个内部开关,从而可以关闭该域的供电。

        在复位后的缺省状态,所有的电源开关是OFF状态,软件可以通过控制模块单独对它们进行ON/OFF。

        注意:当域的电源被OFF掉后,该电源域中的所有模块均不能使用。

3.1.4 动态电压频率调整

        每个内核逻辑电压域能独立运行在不同的OPPs(Operating Performance Points运行性能点),对于一个特定的内核逻辑电压域,OPP定义如下:(1)最高运行频率,(2)相关的供电电压范围。作为性能和功耗的交易,具有较低的最大频率OPPs同时其电源电压也较低,从而降低功耗。

        一个域的OPP可以实时改变而无需复位,这个特征称为动态电压频率调整(DVFS),表7-4包含一个电压范围和最高运行频率的列表。



注意:

(1)     在改变DDR频率之前,所有DDR存取必须暂停。

(2)     仅DM816x SR3.0器件支持750MHz的DSP频率,更多信息见器件数据手册

        虽然每个逻辑电压域的OPP是独立可选择的,但是并不是所有的OPPs组合都支持,表7-5给出了这些支持的组合。



注意:

(1)     ”x”表示支持的组合

(2)     在CVDD和任何其它CVDD_x电压域之间的最大电压差必须小于150mV

3.2 内存电源管理

         为了减少SRAM的泄漏,许多SRAM模块能从ACTIVE切换到SHUTDOWN模式,当SRAM进入到SHUTDOWN模式时,电源会自动关闭,SRAM内的所有数据消失。

        所有处于可ON/OFF电源域的SRAM(除了ALWAYS_ON域外),每当相关的电源域进入OFF态时,它能自动进入SHUTDOWN状态;而当相关的电源域进入ON态时,它能自动返回ACTIVE状态。

        另外,下面的处于ALWAYS_ON电源域的SRAM,也能通过对控制模块里的x_MEM_PWRDN寄存器编程,单独进入SHUTDOWN态:


  • 媒体控制器SRAM
  • OCMC SRAM

3.3 SERDES_CLKP和SERDES_CLKIN LDO

    SERDES_CLKP和SERDES_CLKN输入缓冲能通过内部LDO供电,这是通过对控制模块里的REFCLK_LJCBLDO_CTRL寄存器编程来实现的。

3.4 双电压I/Os

        器件支持某些IOs为双电压,这些I/Os分成下面几组:每组有自己的专门电源脚:DVDD、DVDD_GPMC、DVDD_C和DVDD_SD。这些电源脚可以用3.3V或1.8V供电。

        关于电源脚和电源组的映射见datasheet

       另外,每个DDR接口的I/O电压是在1.5V和1.8V之间独立可选择的,以支持不同的DDR类型,每个DDR接口的I/O供电时分开的隔离的,这在每个接口上可以使用不同类型的内存。

3.5 I/O掉电模式

        下面的PHYs可以工作于节电模式:


  • 视频DAC
  • DDR
  • USB
  • HDMI
  • PCIE
  • SATA

            当在一个电源域的某个PHY控制器处于OFF状态的时候,软件必须在将电源域放于OFF状态前将其对应的PHY配置成节电模式。

3.6 待机模式

        器件支持低功耗待机模式,如下面描述:

        待机模式:


  • 所有可切换电源域都是处于OFF状态
  • ARM Cortex-A8以最低运行频率执行IDLE循环
  • 所有应用不需要的功能模块时钟停运

3.7 供电顺序

         器件电源按顺序分成4组:

    1) 所有的CVDD电源(CVDD、CVDD_x)

    2) 所有的1.5-/1.8-V DVDD_DDR[x]电源(对DDR3是1.5V,DDR2是1.8V)

    3) 所有的1.8-V电源(DVDD_x,DVDD_M、DVDDA_x_1P8、VDDA_1P8)

    4) 所有3.3V电源(DVDD、DVDD_x、DVDD_C、VDDA_x_3P3)

    为了保证芯片正常工作,芯片上电或者掉电必须满足规定。

3.7.1 上电顺序

        上电顺序如表7-6和图7-1。





3.7.2 掉电顺序

        为了保证器件正常操作,表7-7和图7-2所描述的掉电顺序必须满足:





3.8 电源去藕3.8.1 模拟和PLL

        PLL和模拟电源使用磁珠或滤波器可以防止噪声引起的问题,推荐至少通过一个电容和一个磁珠来进行滤波(最好使用Pi滤波),且这些滤波器件与8148放在PCB的同一面上并尽可能接近。在一起的PLL脚可以连在一起共用一个滤波器,但是模拟电源一定要有各自自己的滤波电路。不在一起的PLL脚应该使用各自自己的滤波器。

3.8.2 数字

        推荐使用的滤波电容尺寸不能超过0402,电容值为0.1uF,每2个电源脚必须至少放1个电容,对于那些仅1个电源脚的电源应该需要独立的1个滤波电容,每10个电源脚应该放置1个大电容(10uF或者更大),这些大电容一定要尽可能里芯片近。

        应该特别注意不要放太多的电容以免破坏上电顺序。在所有电源到达它们的规定值之前一定要确保主芯片复位为低。

        DDR外设所需的电源滤波电容数量必须满足DDR2/DDR3的规定。(见数据手册8.13)


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小木欧尼| | 2014-10-29 15:52 | 只看该作者
好文档

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zhangmangui| | 2014-10-29 21:42 | 只看该作者
这个分享比较给力   

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meishizhaoshi| | 2014-10-29 22:23 | 只看该作者
不错的资料

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5
shibalihuandao| | 2014-10-29 22:51 | 只看该作者
很值得一看的好**

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6
zgsxhzac| | 2014-10-29 22:57 | 只看该作者
看上去不太完整呢

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7
sishangcine| | 2014-10-29 23:23 | 只看该作者
这个是接上一个看的

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8
heibaiyinjiag| | 2014-10-29 23:26 | 只看该作者
没有找到一啊

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9
taihezhibanh| | 2014-10-29 23:42 | 只看该作者
列表能翻译一下就好了

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10
beiwaroad| | 2014-10-29 23:46 | 只看该作者
可以看一下

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11
long009| | 2014-11-30 13:40 | 只看该作者
谢谢分享

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