[逆变器] 氮化镓MOSFET代替Cool-MOSFET及IGBT大大提高效率及由提高频率

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 楼主| windowsww 发表于 2014-11-3 16:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
       
新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变,可以跑高频,发热量超级低。
氮化镓材料的结温可以达到300度,而硅材料只能150度。
氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管,但电流可以从S流到D,没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多,从而使得它在古墓关电路工作的电路中开关及续流损耗大大降低。
而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM,或CRM时死区的损耗降到最小。下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的一对比。






传统的MOSFET是半导体硅做的,而硅MOSFET在高压600V的时候,工作频率不能跑高,跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。
新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题,这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中,INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相对应的产品将问世,这一趋式无法改变。
氮化镓有如下好处,1,可以跑高频,100K---10M开关频率(同时高频后并不会像硅MOSFET那样带来过多的热问题)
2,氮化镓材质的MOSFET体内寄生电容很小,米勒电容也很小。所以开关损耗会很小
3,氮化镓MOSFET体内没有像硅MOSFET的寄生二极管,但电流可以从S流向D,通过自身的电子层导通,因为没有恢复损耗的问题。











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Siderlee 发表于 2014-12-31 21:48 | 显示全部楼层
SIC刚刚开始

估计上量还得好几年

不知道这个现在价格几何啊
yanyanyan168 发表于 2015-5-18 20:32 | 显示全部楼层
不知道现在市场用量什么样
现在价格几何啊
taolei 发表于 2015-5-19 12:02 | 显示全部楼层
确实是一个好的方向,可能会对电源产生非常巨大的影响,一直在关注中。
Siderlee 发表于 2015-5-19 23:27 | 显示全部楼层
同等电流电压等级  价格估计得*100
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