DDR Stress Test 工具 DQS Gating 校准失败

只看该作者 · 2014-11-4 15:44

你好，使用DDR测试工具和使用<I.MX6DQSDL DDR3 Script Aid V0.10>脚本生成RealView.inc 文件。
运行 DDR_Stress_Tester.exe , 到第二步校准时 Read DQS Gating 出现错误，如图所示，求解

1万 · 2014-11-4 17:31

楼主你好，请问你在测试DDR时候，DQS 参数有设置正确吗？在我们的DDR测试文档中有详细说明的。

只看该作者 · 2014-11-4 19:14

你好， Rita, 我就是参考《飞思卡尔i.MX6平台DRAM接口高阶应用指导-DDR3篇》文档指导填写I.MX6DQSDL DDR3 Script Aid工具，每一个参数都是确认过的，不知道你说的DQS参数设置是那些？

1万 · 2014-11-5 16:00

sulinux 发表于 2014-11-4 19:14
你好， Rita, 我就是参考《飞思卡尔i.MX6平台DRAM接口高阶应用指导-DDR3篇》文档指导填写I.MX6DQSDL DDR3 S ...

在i.MX6 DDR Stress Test Tool V1.0.3中的说明文档中有的。

只看该作者 · 2014-11-5 19:57

如果设置正确，出现这种情况是不是意味着ddr有问题？
还有就是，这种测试是不是只能在官方的开发板上才能进行，在自己的板子上能进行相关测试吗？

1万 · 2014-11-6 14:59

sunchengyao 发表于 2014-11-5 19:57
如果设置正确，出现这种情况是不是意味着ddr有问题？
还有就是，这种测试是不是只能在官方的开发板上才能进 ...

在自己设计的板子上也可以测试的，只要使用的是i.mx6系列的处理器就可以用的。

只看该作者 · 2014-11-6 17:59

Rita, 其实那个《i.MX6 DDR Stress Test Tool V1.0.3》中的说明文档我看了，DDR脚本里的每一个参数没有错的，但是校准频率选择在528MHZ时，DQS Gating 校准是不通过的，但是选择400MHz时，校准就没有问题。我用那个400MHz校准的生成的校准值，再进行压力测试是没有问题的，包括在528MHz 的情况下，也是一样的，不知道该现象的原因？

1万 · 2014-11-7 10:04

sulinux 发表于 2014-11-6 17:59
Rita, 其实那个《i.MX6 DDR Stress Test Tool V1.0.3》中的说明文档我看了，DDR脚本里的每一个参数没有错的 ...

原因是这样的，不同的设计支持的频率和速度是不一样的，硬件设计的越好频率支持的越高，速度越快。这里应该是你的设计频率达不到528MHz，导致在这个频率下DDR无法工作，所以说你降低一下频率，就是OK的。

只看该作者 · 2014-11-7 17:15

Rita, 很感谢你指点，不明白的点是：
1. 在400Mhz情况下， DDR Stress Tester 三轮校准后生成的参数
结果如下：
MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 after write level cal: 0x00130014
MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 after write level cal: 0x001B0015

Read DQS Gating calibration
MPDGCTRL0 PHY0 (0x021b083c) = 0x024C025C
MPDGCTRL1 PHY0 (0x021b0840) = 0x0240023C

Read calibration
MPRDDLCTL PHY0 (0x021b0848) = 0x42383E40

Write calibration
MPWRDLCTL PHY0 (0x021b0850) = 0x3C3A3E3C

2. 使用上面的校准值填入 inc 文件中，使用该inc 文件进行压力测试，结果如下
Beginning stress test

loop: 1
DDR Freq: 528 MHz
t0.1: data is addr test
t0: memcpy11 SSN test
t1: memcpy8 SSN test
t2: byte-wise SSN test
t3: memcpy11 random pattern test
t4: IRAM_to_DDRv2 test
t5: IRAM_to_DDRv1 test
t6: read noise walking ones and zeros test

loop: 2
DDR Freq: 528 MHz
t0.1: data is addr test
t0: memcpy11 SSN test
t1: memcpy8 SSN test
t2: byte-wise SSN test
t3: memcpy11 random pattern test
t4: IRAM_to_DDRv2 test
t5: IRAM_to_DDRv1 test
t6: read noise walking ones and zeros test

从结果来看，528MHz 下压力测试通过,这就是硬件可以在528Mhz正常工作的，我就无法理解的点，求解？

1万 · 2014-11-11 16:00

楼主你好，你使用DDR stress tester工具测试后得到的是稳定工作的参数。

1万 · 2014-11-11 16:02

这样，建议你将频率设置为528M进行test，将校准出来的数据填入inc 文件中，再测试，看是否可以工作。我这边也帮你确认一下。

只看该作者 · 2015-11-16 14:57

Rita，你好~我也是遇到了同样的问题，使用528M calibration failed，但是使用400M calibration 是没有问题的，之后的DDR stress也能run 到528M。。请问我使用400M calibration的结果是否可靠？？还是我需要将该结果更新到initialization script中，再重新重新使用528M进行calibration，得到一个可靠地结果？？？

只看该作者 · 2015-11-16 14:58

FSL_TICS_Rita 发表于 2014-11-11 16:02
这样，建议你将频率设置为528M进行test，将校准出来的数据填入inc 文件中，再测试，看是否可以工作。我这边 ...

Rita，你好~我也是遇到了同样的问题，使用528M calibration failed，但是使用400M calibration 是没有问题的，之后的DDR stress也能run 到528M。。请问我使用400M calibration的结果是否可靠？？还是我需要将该结果更新到initialization script中，再重新重新使用528M进行calibration，得到一个可靠地结果？？？