地址偏移调试疑问

只看该作者 · 2014-11-6 11:22

我写了一个bootloader烧给芯片，用了flash的前64k，主程序编写时改了地址偏移量，改到flash的65k处，实现程序跳转。
问题1：主程序flash改动后因为地址偏移的原因无法调试，原来用iar是可以的，现在用的是atmel studio6,就不行了
问题2：我的主程烧写到flash的65k后，板子上电执行完bootloader进行跳转，可是跳过去后主程序是跑不了的，不知道什么原因，确实是跳过去了，flash烧写也是没有问题的。

bootloader和主程序都是之前验证过没有问题的，现在移植后其他地方都没有问题，就是跳转过去程序不执行

只看该作者 · 2014-11-6 16:49

已经解决了，原来用的是ARM7架构的芯片，0就是0地址，现在换了cortex的，Reset地址+4

只看该作者 · 2014-11-7 17:58

你好，我想再问一下：
我的程序现在可以跳到flash执行了，现在我想把app放到ram的12k之后运行，bootloader分配了ram的前12k，其余的给app，我在编译app时也需要进行相应的地址改动，app中将rom大小变为0，ram的起始地址为12k。
那么问题来了：
         rom (rx) : ORIGIN = 0x00080000, LENGTH = 0x00000000 /* Flash, 512K -》0 */
      //ram (rwx) : ORIGIN = 0x20070000, LENGTH = 0x00018000 /* sram, 96K */
      ram (rwx) : ORIGIN = 0x20073000, LENGTH = 0x00015000 /* sram, 96K - 12k */
当我把rom设为0时，编译过不了：region rom overflowed by xxxbytes
如果我把rom那行屏蔽掉，系统会默认给rom赋值：0xffffffff

是否有什么设置可以解决这个问题

只看该作者 · 2014-11-10 09:22

你好，bootloader是实现两种方式，第一种就是通常的把app放到我的rom中，也就是flash中，掉电不丢失。
另外一种是把app放到ram中，只有本次执行一下。
我的bootloader地址是用了芯片256krom的前64k，ram的前12k，剩下的给app，这是第一种，对应的app编址就是64k往后的空间。
第二种方式对应的app地址空间是想用ram12往后的空间，一共96k，那么我的rom这个时候应该是0编译出来才会正确，现在问题是这个0不知道怎么设置，我就是编译时只想用ram，不用rom，让程序分配到ram对应地址。这样我上电后会去检测sd卡中的app程序，bootloader将它直接烧到芯片ram中执行一次。