在论坛上经常看到：
“数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。”
上面一段话前半部分说0.1μF的电容能滤除10MHz以下的噪声，1μF、10μF的电容去除高频噪声的效果要好一些；后面又说“去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。”是不是矛盾了啊？
按我理解的是，电容值越大，电感效应越明显，对高频的响应越差。所以我比较赞同后面说的那种选取法。
忘高手点拨，万分感谢！ |
楼主
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