请教MOS管问题

只看该作者 · 2007-12-19 16:42

p沟道MOS管的在实际运用中的问题
此电路应该没问题，
但是我在实际做的时候，
测试发现，MOS管 G端不论高电平还是低电平？
S--D 都导通，管子是30V的。

多多指教

只看该作者 · 2007-12-19 16:58

有可能是Source和Drain之间的Diode正偏了,这样当然不受GATE的
控制了

只看该作者 · 2007-12-19 17:21

很注意管脚顺序

只看该作者 · 2007-12-19 22:21

只看该作者 · 2007-12-20 00:38

只看该作者 · 2007-12-20 00:39

只看该作者 · 2007-12-20 09:19

电机位置修改一下就可以了，什么原因呢？
把电机放到24V和S-MOS之间

只看该作者 · 2007-12-20 09:21

图片上传不了？

只看该作者 · 2007-12-20 16:13

第一幅：不能控制
三极管基极电阻为6.8k

只看该作者 · 2007-12-20 16:14

第二幅可以控制
基极电阻为6.8k

不知什么原因？
怎么调整参数才能控制第一个图呢？

只看该作者 · 2007-12-22 11:20

1万 · 2007-12-22 12:16

第一种电流流向：1路：电源，10K,G,电机，地。
2路：电源， S,电机，地。
第2路的电流大，但受控第一路。

要提高第一路电流。就可解决

减少10K,考虑关短时的发热，

最好用个N型的管子控制G极

1万 · 2007-12-22 12:25

第2种电流流向：1路：电源，10K,G,地。
2路：电源，电机，S,地。

第一路电流大的多（比第一种办法，）说电流可能有人反对，

说电压差吧。导通程度吧。

显示第2种方法的GD压降大于第一种办法的GD压降。

故第2种方法的管子导通程度大于方法1

doob 发表于 2007-12-20 09:19 电路欣赏 ←返回版面

7楼：谢谢大家，

电机位置修改一下就可以了，什么原因呢？
把电机放到24V和S-MOS之间

只看该作者 · 2007-12-23 15:16

分析的不错，难怪我们一般用三极管控制的继电器都接在集电极那边。

只看该作者 · 2007-12-25 11:13

显示第2种方法的GD压降大于第一种办法的GD压降。

故第2种方法的管子导通程度大于方法1

mosfet管子导通程度跟Vgs的电压有关系,怎么扯上GD压降.

只看该作者 · 2007-12-25 11:25

第一幅 ,8050导通,Vgs < -20V,管子坏,原因:Vgs耐压+-20V
第二幅,8050导通,由于上拉作用,Vgs>-20V,MOSTFET导通,Vs的电压将被下拉至维持MOSFET的导通.分析完毕.

只看该作者 · 2007-12-27 12:55

第一幅图修改参数就可以，第二幅图的MOS管不合理（需将PMOS变成NMOS）

只看该作者 · 2007-12-27 15:27

谢谢bangzhu帮主
1：p1.3口有弱上拉功能；
2：led实际没加；
3：spp2303内部已有二极管保护；
4：8050耐压20伏，导通后8050 ce间的电压为24v对吧？
mos管G-S之间电压也为24v吧（mos管G-S耐压也为20v）？
8050换什么型号呢？spp2303换什么型号呢？
5：直流电机电流0.65A;
6:N你用的什么编辑软件呢？电路图都可以改？

只看该作者 · 2007-12-27 15:38

防止 8050 CE mos GS电压过高？

只看该作者 · 2007-12-27 19:56

（PS:用WINDOWS自带的画图板截图画此图）
用稳压管限制电压

请教MOS管问题

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有可能是Source和Drain之间的Diode正偏了

应该不会啊

分别测一下Ube和Ugs再说

估计遇到劣质管子了。。

或者是里面的二极管穿了。

谢谢大家，

hi

hi

hi

是不是可以把D、S换下位置，或用N沟道增强型

楼主善于提问很好，请仔细分析别人的回答

解疑

Re：谈的元

RE:谈的元

分析下原因

修改修改

谢谢bangzhu帮主

需不需要在MOS G和8050-C之间串个电阻呢？

用稳压管

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