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我来做搬运工:STM32 GPIO口解析

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楼主
在Cortex-M3里,对于GPIO的配置种类有8种之多:

(1)GPIO_Mode_AIN 模拟输入
(2)GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入
(3)GPIO_Mode_IPD 下拉输入
(4)GPIO_Mode_IPU 上拉输入
(5)GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出
(6)GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出
(7)GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出
(8)GPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出

对于刚入门的新手,我想这几个概念是必须得搞清楚的,平时接触的最多的也就是推挽输出、开漏输出、上拉输入这三种,但一直未曾对这些做过归纳。因此,在这里做一个总结:
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源低定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
详细理解:

如图所示,推挽放大器的输出级有两个“臂”(两组放大元件),一个“臂”的电流增加时,另一个“臂”的电流则减小,二者的状态轮流转换。对负载而言,好像是一个“臂”在推,一个“臂”在拉,共同完成电流输出任务。当输出高电平时,也就是下级负载门输入高电平时,输出端的电流将是下级门从本级电源经VT3拉出。这样一来,输出高低电平时,VT3 一路和 VT5一路将交替工作,从而减低了功耗,提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路,管子导通电阻都很小,使RC常数很小,转变速度很快。因此,推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
开漏形式的电路有以下几个特点:
1.     利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。
2.     一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的,因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时,只能输出低电平,如果需要同时具备输出高电平的功能,则需要接上拉电阻,很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压,便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。(上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大,速度越低功耗越小,所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。)
3.    OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出。
4.    可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。补充:什么是“线与”?:
在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D, 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上. 因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS),晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 NOR 逻辑. 如果这个结点后面加一个反相器, 就是或 OR 逻辑.
其实可以简单的理解为:在所有引脚连在一起时,外接一上拉电阻,如果有一个引脚输出为逻辑0,相当于接地,与之并联的回路“相当于被一根导线短路”,所以外电路逻辑电平便为0,只有都为高电平时,与的结果才为逻辑1。
关于推挽输出和开漏输出,最后用一幅最简单的图形来概括:



该图中左边的便是推挽输出模式,其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止,而上面NPN三极管导通,输出电平VS+;当比较器输出低电平时则恰恰相反,PNP三极管导通,输出和地相连,为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式,需要接上拉。
浮空输入:对于浮空输入,一直没找到很权威的解释,只好从以下图中去理解了

由于浮空输入一般多用于外部按键输入,结合图上的输入部分电路,我理解为浮空输入状态下,IO的电平状态是不确定的,完全由外部输入决定,如果在该引脚悬空的情况下,读取该端口的电平是不确定的。
上拉输入/下拉输入/模拟输入:这几个概念很好理解,从字面便能轻易读懂。
复用开漏输出、复用推挽输出:可以理解为GPIO口被用作第二功能时的配置情况(即并非作为通用IO口使用)
最后总结下使用情况:
在STM32中选用IO模式
(1) 浮空输入_IN_FLOATING ——浮空输入,可以做KEY识别,RX1
(2)带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入
(3)带下拉输入_IPD—— IO内部下拉电阻输入
(4) 模拟输入_AIN ——应用ADC模拟输入,或者低功耗下省电
(5)开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,需要外接上拉电阻,才能实现输出高电平。当输出为1时,IO口的状态由上拉电阻拉高电平,但由于是开漏输出模式,这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化,实现C51的IO双向功能
(6)推挽输出_OUT_PP ——IO输出0-接GND, IO输出1 -接VCC,读输入值是未知的
(7)复用功能的推挽输出_AF_PP ——片内外设功能(I2C的SCL,SDA)
(8)复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能(TX1,MOSI,MISO.SCK.SS)

STM32设置实例:

(1)模拟I2C使用开漏输出_OUT_OD,接上拉电阻,能够正确输出0和1;读值时先GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_0);拉高,然后可以读IO的值;使用GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_0);

(2)如果是无上拉电阻,IO默认是高电平;需要读取IO的值,可以使用带上拉输入_IPU和浮空输入_IN_FLOATING和开漏输出_OUT_OD;


沙发
icecut| | 2014-11-27 11:48 | 只看该作者
不错

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板凳
bear1| | 2014-11-27 13:35 | 只看该作者
(5)开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,

这句话好像跟图不对应,大家看看是不是真的问题(O_O)?

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地板
小班儿| | 2014-11-27 15:06 | 只看该作者
:handshake

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5
小班儿| | 2014-11-27 15:10 | 只看该作者
感谢搬运工!

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6
小班儿| | 2014-11-27 15:10 | 只看该作者
bear1 发表于 2014-11-27 13:35
(5)开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,

这句话好像跟图不对应,大家看看是不是真的问题 ...

这句话对应哪个图?

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7
mmuuss586| | 2014-11-27 22:02 | 只看该作者

支持楼主分享;

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8
玄德| | 2014-11-28 00:45 | 只看该作者
本帖最后由 玄德 于 2014-11-28 00:49 编辑

刚接触的时候,也觉得这一块很杂乱 —— 不是复杂,是杂乱。
不过最近搞清楚了。

应当分开说:
1、端口只有三种功能:数字输入 i,数字输出 o ,模拟输入 A ,只能选其一。
    功能是首先要确定的问题,其次才能考虑上拉、下拉,推挽、开漏。
  (模拟输出比较单一,不讨论。)
2、开漏、推挽,只针对数字输出。换句话说,只有做数字输出时,才考虑开漏、推挽的问题。
   上下拉电阻,对数字输入、输出都有效;无论做 i 还是 o ,都应当考虑上拉、下拉问题。
3、做模拟输入时,开漏和推挽肯定不能设置,也设置不出效果。
   但是,从手册结构图来看,似乎上下电阻还可以接入。这一点还不清楚。


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9
tianli1980| | 2014-11-28 09:58 | 只看该作者
stm32的GPIO复用功能是重点,好!支持楼主!

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10
wnxyy| | 2014-11-28 17:01 | 只看该作者
学习

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11
bear1| | 2014-12-2 21:28 | 只看该作者
bear1 发表于 2014-11-27 13:35
(5)开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,

这句话好像跟图不对应,大家看看是不是真的问题 ...

第2张图,open collector Output.

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12
bear1| | 2014-12-2 21:32 | 只看该作者
“推挽输出_OUT_PP” 与 “复用功能的推挽输出_AF_P”到底有什么区别?

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13
sagetom| | 2014-12-3 17:55 | 只看该作者
说的非常好。

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