赛普拉斯具有片上错误校正代码的低功耗MoBL器件横空出世

只看该作者 · 2014-11-29 20:43

赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码(ECC)的16Mb低功耗异步SRAM 已开始出样。全新MoBL® (More Battery Life™，更久电池续航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。

背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误率(SER)性能，错误率仅有0.1 FIT/Mb(1个FIT相当于器件每工作十亿小时发生一个错误)。这些新器件与现有的异步低功耗SRAM管脚兼容，客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。16Mb MoBL 异步SRAM还具有可选的错误指示信号，可指示单位(Single-Bit)错误的发生和校正。

只看该作者 · 2014-11-29 20:43

赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说：“自从我们去年推出带ECC的快速SRAM以来，客户反响非常强烈。在这一系列中增加MoBL器件，可使更多的应用受益于我们的片上ECC技术。赛普拉斯致力于不断开发SRAM新技术，更好地为客户服务，巩固我们毫无争议的市场领导地位。”

赛普拉斯的16Mb MoBL异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压(1.8V， 3V和5V)，工作温度范围为-40◦C 至 +85◦C(工业级)和-40◦C 至 +125◦C(汽车级)。

这些全新SRAM目前已有工业温度范围的样片，预计2014年11月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA方式封装。

只看该作者 · 2014-11-29 20:44

赛普拉斯的SRAM拥有全球第一的市场占有率，是绝无仅有的能融合高性能、高可靠性和超长生命周期等特色的SRAM产品，这些特色对于无处不在的互联网和关键任务系统来说都是至关重要的。赛普拉斯的SRAM拥有长达30多年的历史和强大的知识产权集合，具有全球最佳的速度、功耗和可靠性，能满足最苛刻的系统要求。赛普拉斯还是唯一能提供所有品类SRAM产品的公司，包括同步、异步、双端口和非易失性SRAM。赛普拉斯的SRAM广泛应用在全球各地的网络、工业、汽车、军事和航空航天，以及医疗系统中。赛普拉斯与客户及合作伙伴密切协作，不断开发新的SRAM品类，以满足未来互联网和物联网对产品性能的要求。

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