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光耦Sensor的接法

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 楼主| mingfengx 发表于 2008-3-26 13:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
SENSOR, 光耦, 信号, 电流, 电路
下图两种Sensor的电路，<br />除了输出信号相反外，还有什么区别，我自己感觉是右边的电路输出信号会比左边的灵敏，因为相当于将电流乘以&nbsp;10K，而左边的却没有，只是依靠了Sensor本身电压，电流的变化，请高手指教。<br />
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AIRWILL 发表于 2008-3-26 20:13 | 显示全部楼层

完全一样哦, 没有什么好说的

  
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hungrywolf 发表于 2008-3-26 21:06 | 显示全部楼层

左边的需要光强度较大的时候才会输出低电平

左边的要输出逻辑低电平，必须要感光较强，流过传感器的电流足够大，使得加在R26的电压有差不多5ｖ时，才能够输出低，这样就造成楼主说的灵敏度不高<br />在输出高电平时，右边的接负载能力也比左边强，
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 楼主| mingfengx 发表于 2008-3-27 11:00 | 显示全部楼层

谢3楼

所以，<br />对于需求高灵敏度的地方，选用右边的电路，但是需要考虑干扰信号，例如红外反射式Sensor<br />对于普通的，选哪个都可以。。。
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底蕴 发表于 2008-3-28 08:55 | 显示全部楼层

一样的吧

一样的吧,就是左面的输出是低电平,右面的输出是高电平而已,看你是需要什么样的电平了.
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dg989500 发表于 2008-3-31 16:54 | 显示全部楼层

呵呵.

4楼：&nbsp;谢3楼&nbsp;<br /><br />所以，<br />对于需求高灵敏度的地方，选用右边的电路，但是需要考虑干扰信号，例如红外反射式Sensor<br />对于普通的，选哪个都可以。。。<br />&nbsp;<br />&nbsp;<br />没那么简单.去掉一图那个150欧的电阻,两者的电压变化率是一样的,抗干扰也是一样的,不一样的是图2带负载的能力强.由于发射电流可达25mA,对一般的对射的光耦来说输出电流足够大了,1,2图完全能够带动后级的器件.若如对射距离较远,或反射式的,因信号比较弱,而后级一般要接三级管来放大产生翻转信号,图1就没有图2来得撤底迅速.
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aijun02 发表于 2008-4-1 12:07 | 显示全部楼层

分析

这两个电路概括的讲都能输出高低电平&nbsp;&nbsp;没什么区别&nbsp;&nbsp;但细致分析还是不同的
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 楼主| mingfengx 发表于 2008-4-1 16:00 | 显示全部楼层

谢谢各位

这里讨论的是反射式Sensor，用来检测是否物体在前方，所以初始状态都是没有反射光，输出信号直接接入到ASIC&nbsp;I/O口，所以驱动能力不会成为问题，电平变化速度也不做严格要求<br />左边150ohm电阻相对于10K太小，不作考虑。<br />初始条件：<br />左边图的输出：5V<br />右边图的输出：0V<br />假设同等反射条件下，所以左右两图的基极电流相同，Ic也相同，参见图片。<br /><br />ASIC&nbsp;I/O口电平定义：“0”：&lt0.8V&nbsp;&nbsp;;&nbsp;&nbsp;&nbsp;“1”：&gt2V&nbsp;<br />可以看出，左边的图，侦测到电平变化的电流是0.42mA，而右边的图侦测到电平的变化是0.2mA，所以，从灵敏度上来说，右边的图比左边的更好。<br />当电源电压变为3.3V时，两者的电平侦测电流会很接近，两图的差别就不大了。<br /><br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;
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