光耦Sensor的接法

只看该作者 · 2008-3-26 13:36

下图两种Sensor的电路，
除了输出信号相反外，还有什么区别，我自己感觉是右边的电路输出信号会比左边的灵敏，因为相当于将电流乘以 10K，而左边的却没有，只是依靠了Sensor本身电压，电流的变化，请高手指教。

1万 · 2008-3-26 20:13

只看该作者 · 2008-3-26 21:06

左边的要输出逻辑低电平，必须要感光较强，流过传感器的电流足够大，使得加在R26的电压有差不多5ｖ时，才能够输出低，这样就造成楼主说的灵敏度不高
在输出高电平时，右边的接负载能力也比左边强，

只看该作者 · 2008-3-27 11:00

所以，
对于需求高灵敏度的地方，选用右边的电路，但是需要考虑干扰信号，例如红外反射式Sensor
对于普通的，选哪个都可以。。。

只看该作者 · 2008-3-28 08:55

一样的吧,就是左面的输出是低电平,右面的输出是高电平而已,看你是需要什么样的电平了.

只看该作者 · 2008-3-31 16:54

4楼：谢3楼

所以，
对于需求高灵敏度的地方，选用右边的电路，但是需要考虑干扰信号，例如红外反射式Sensor
对于普通的，选哪个都可以。。。

没那么简单.去掉一图那个150欧的电阻,两者的电压变化率是一样的,抗干扰也是一样的,不一样的是图2带负载的能力强.由于发射电流可达25mA,对一般的对射的光耦来说输出电流足够大了,1,2图完全能够带动后级的器件.若如对射距离较远,或反射式的,因信号比较弱,而后级一般要接三级管来放大产生翻转信号,图1就没有图2来得撤底迅速.

只看该作者 · 2008-4-1 12:07

这两个电路概括的讲都能输出高低电平没什么区别但细致分析还是不同的

只看该作者 · 2008-4-1 16:00

这里讨论的是反射式Sensor，用来检测是否物体在前方，所以初始状态都是没有反射光，输出信号直接接入到ASIC I/O口，所以驱动能力不会成为问题，电平变化速度也不做严格要求
左边150ohm电阻相对于10K太小，不作考虑。
初始条件：
左边图的输出：5V
右边图的输出：0V
假设同等反射条件下，所以左右两图的基极电流相同，Ic也相同，参见图片。

ASIC I/O口电平定义：“0”：<0.8V ; “1”：>2V
可以看出，左边的图，侦测到电平变化的电流是0.42mA，而右边的图侦测到电平的变化是0.2mA，所以，从灵敏度上来说，右边的图比左边的更好。
当电源电压变为3.3V时，两者的电平侦测电流会很接近，两图的差别就不大了。

光耦Sensor的接法

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完全一样哦, 没有什么好说的

左边的需要光强度较大的时候才会输出低电平

谢3楼

一样的吧

呵呵.

分析

谢谢各位

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