电路设计注意事项-------电容

只看该作者 · 2009-5-27 15:15

设计考虑事项：

1.使晶振、外部电容器（如果有）与 IC之间的信号线尽可能保持最短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对 EMC、ESD 与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。
2.尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。
3.当心晶振和地的走线
4.将晶振外壳接地

只看该作者 · 2009-6-1 19:23

1.选择电容，首先要知道电容的类型和参数有哪些，然后知道应用场合对电容参数的要求，之后就可以选择电容了。
1.1如常用电容类型有铝电解、钽电容、MLCC、安规电容和金属化膜电容等，
1.2 电容参数有容值、精度、耐压、温度系数、电压系数、漏电流、ESR、ESL、DF、纹波电流、工作温度范围、寿命、谐振特性和有无极性等等
不同电容类型的参数值差别较大，如铝电解的容量可以做到很大，但其ESR也较大，一般为几欧姆，谐振频率较低，一般为几十到几百kHz，故不适合用在高频滤波中。
2.1 IC的电源引脚要加一大一小的电容滤除低频和高频噪声---大电容的目的更多是去耦左右，即在电源尚不能提供电流时，提供瞬时的电流，主要考虑容量、耐压、精度和温度系数基本就够了；小电容是滤除高频干扰的，想像RC低通滤波吧，除了容量、耐压、精度和温度系数外，还有考虑电容的自谐振特性

相关链接:http://www.2088net.cn/html/dianzigongchengshi/dianlusheji/200812/22-1700.html

只看该作者 · 2009-6-2 11:37

通常电路中用到电源的会很多，建议在靠近使用电源的附近要加去耦和滤波电容，电源芯片用的去耦电容的大小一般应是使用这路电源的所有去耦电容大小的十倍。另外干扰源一般是晶振或高频的数字电路、开关电源，总之会有电压或电流的突变的地方就是干扰产生的地方，这些就是EMI产生的根源。对付干扰不外两个方法一是导主要用电容，一是堵主要用电感，电容电感是最常用的EMC整改的元器件。针对晶振的部分除了接地之外，还有一个建议，可以在晶振与IC引脚接一个小电阻，另外LAYOUT也要注意晶振下面不可走线，其它层也需要挖空。另外单纯从EMC的角度考量内部晶振比外部晶振好，频率低比频率高好，有源晶振比无源晶振好。

只看该作者 · 2009-6-24 19:28

因为大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作（动手拆过铝电解电容应该会很有体会，没拆过的也可以拿几种不同的电容拆来看看，不过要注意安全，别弄伤手），这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。大家知道，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小的ESL，这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为0.1uF的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这电容叫做去耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。

只看该作者 · 2009-6-24 22:54

安规电容是指电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全，包括X电容和Y电容。

X电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容，微法级，抑制差模干扰。

Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E,N-E）的电容，一般成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般选用纳法级，抑制共模干扰。

1万 · 2009-6-25 07:28

只看该作者 · 2009-6-26 11:00

  超级电容器是介于电容器和电池之间的储能器件，它既具有电容器可以快速充放电的特点，又具有电化学电池的储能机理。
  传统的充电电池由于通过电解液与电极之间发生的化学反应来产生电力，因此充电时需要花费一定的时间。经过多次充电和放电后，电解液逐渐分解。材料变质，性能也随之下降，用上几年后大都需要更换。
  与此相比，电容器不产生化学反应，可以直接将电力贮存起来。不仅充电所需的时间非常短，还能在瞬间释放出大量电流，输出功率很大。由于充电和放电可反复进行数十万次以上，所以基本上无需更换，可以半永久性地使用。
  超级电容有法拉级容量。无须特别的充电电路和控制放电电路；

只看该作者 · 2009-7-9 13:43

精彩！
这样的帖子质量贼高！希望能多看到！

只看该作者 · 2009-7-15 14:23

顶起。

只看该作者 · 2009-7-16 09:37

asdsadasdsadsad

只看该作者 · 2009-7-16 12:04

谢谢啦，今天算是学习啦

只看该作者 · 2009-7-16 21:34

只看该作者 · 2009-7-28 11:14

只看该作者 · 2009-8-2 15:45

;P你们都是为了加分是不？

-85 · 2009-8-2 19:59

电容选用常识
电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。
不同电路应该选用不同种类的电容。揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。
电容在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。安装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实。

只看该作者 · 2009-8-3 17:39

辛苦了

学习下

只看该作者 · 2009-8-6 15:37

电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体分类如下：

类型    封装形式  耐压
A       3216    10V
B       3528    16V
C       6032    25V
D       7343    35V

拨码开关、晶振：等在市场都可以找到不同规格的贴片封装，其性能价格会根据他们的引脚镀层、标称频率以及段位相关联。

注：
ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H
1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同
0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5

通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容。

它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次烧结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成的。具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。

多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。Class 1是温度补偿型，Class 2是温度稳定型和普通应用的。

Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。它们有可预见的温度系数，通常没有老化特性。因此它们是可用的最稳定的电容。最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0 ppm/°C).
Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R和Y5V。在温度范围 -55°C到 125°C之间，X7R能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容容量。它最适合应用在温度范围宽，电容量要求稳定的场合。 Y5V能提供最大的电容容量，常用在环境温度变化不大的地方。在温度范围-30°C to 85°C之间，Y5V电容值的变化是22% to -82%。所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响：温度变化、操作电压（直流和交流）、频率。

Y5V贴片电容简述
Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的电容量受温度、电压、时间变化影响大。

Y5V贴片电容特性

具有较差的电容量稳定性，在-25℃～85℃工作温度范围内，温度特性为+30%，-80%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于温度变化小的退耦、隔直等电路中。

X7R贴片电容简述
X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的容量相对稳定。

  X7R贴片电容特性

具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

NPO贴片电容简述
NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。

  NPO(COG)贴片电容特性

具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

只看该作者 · 2009-8-6 15:41

通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。

1.滤波电容
整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。滤波电容用于功率放大器时，其值应为10000μF以上，用于前置放大器时，容量为1000μF左右即可。当电源滤波电路直接供给放大器工作时，其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻
抗从10KHz附近开始上升。这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄膜电容，在大电容旁以抑制高频阻抗的上升.

2.耦合电容
耦合电容的容量一般在 0.1μF ～ 1μF 之间，以使用云母、丙烯、陶瓷等损耗较小的电容音质效果较好。

3.前置放大器、分频器等
前置放大器、音频控制器、分频器上使用的电容，其容量在100pF ～0.1μF之间，而扬声器分频LC网络一般采用1μF～数10μF之间容量较大的电容，目前高档分频器中采用CBB电容居多。小容量时宜采用云母，苯乙烯电容。而LC网络使用的电容，容量较大，应使用金属化塑料薄膜或无极性电解电容器，其中四轴飞行器性电解电容如采用非蚀刻式，则更能获取极佳音质。

电容的基础知识
——————————————
一、电容的分类和作用

电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同：

按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。

按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，四轴飞行器固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。

按极性分为：有极性电容和无极性电容。我们最常见到的就是电解电容。

电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐

二、电容的符号

电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“＋”符号代表正极。

三、电容的单位

电阻的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是nF（纳法），由于电容F的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。他们之间的具体换算如下：

1F＝1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

四、电容的耐压单位：V（伏特）

每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

五、电容的种类

电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

六、电容的标称及识别方法

由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果是 10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1 pF=470pF。

瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF。

钽电容，一般直接标识数值，常见单位F。

色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）
颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。

电容容值系列

【单位pF】
3P 5P 8P 10P  12P  15P  20P  39P  43P  47P
51P  56P  62P  68P  75P  82P  91P  100P 120P 150P
180P 200P 220P 240P 270P 300P 330P 360P 390P 470P
560P 620P 680P 750P

【单位nF】
1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6
10  15  18  22  27  33  39  56  68  82

【单位uF】
0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 3.3
电容的计算方法是这样的:

AX表示A（一般两位数）乘上10的x次方pF,因此，104就是0.1uF.

电阻的表示方法也是这样的:

如103的电阻表示10 000欧姆，即10K，102也就是1K。
有的电容标号474，那么就表示0.47uF加上一些

电容的基本知识:

名称：聚酯（涤纶）电容（CL）
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

名称：聚苯乙烯电容（CB）
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

名称：聚丙烯电容（CBB）
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

名称：云母电容（CY）
电容量：10p--0。1u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

名称：高频瓷介电容（CC）
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路

名称：低频瓷介电容（CT）
电容量：10p--4。7u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路

名称：玻璃釉电容（CI）
电容量：10p--0。1u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路

名称：铝电解电容
电容量：0。47--10000u
额定电压：6。3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

名称：但电解电容（CA）铌电解电容（CN）
电容量：0。1--1000u
额定电压：6。3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

名称：空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等

名称：薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等

名称：薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

名称：陶瓷介质微调电容器
可变电容量：0.3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路

独石电容最大的缺点是温度系数很高.
独石电容的特点：
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：
广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：
0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压。
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型
性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫
II型，容量大，但性能一般。

就温漂而言:
独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.
就价格而言:
钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.

只看该作者 · 2009-8-7 16:06

牛叉贴，收藏了

只看该作者 · 2009-8-7 18:27

骂嗑一下

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