晶体易受干扰问题

只看该作者 · 2014-12-9 21:55

      最近在用STM32F030F4做一款产品，用在电能计量场合的，3.3V电源是220V经过阻容降压再经过LDO稳压得到的。
      开发过程中没有碰到太多的问题，调试也很顺利。
      但测试时挂载到220V交流电上时问题就出现了，老是出现死机，并且经常是出现在上电的瞬间。
      经过调试发现，出现死机时，都调到了HardFault中断那里。
      因为之前该款产品从没有出现过该问题，只不过是芯片换成了ST的，板子布局基本无改动，所以一直怀疑是软件出现了问题。
      经过一段时间的调试后，没有找到软件的问题，决定从硬件方面着手找问题。
      用示波器监控3.3V电源，发现上电时，电源上有很大的干扰，在电源端加大电容，依然没有改善。
      最终终于找到了问题的所在，当将HSI（内部8M RC振荡器）作为系统时钟时，就没有问题，出问题的是系统时钟使用HSE（外部8M晶体）的情况。
   还好系统中只是校准部分需要用到比较准确的时钟，其它情况下对系统时钟的准确度没有要求，所以问题就比较好解决了，只需要在校准的时候将系统时钟切换到HSE，校准完成后切换回HSI，其余时候用HSI工作就可以了，经过测试，再也没有出现过死机的现象了。
      至此问题得到解决，看来使用外部晶体时，对芯片的抗干扰能力还是要求比较高的，希望ST能在这个方面有所改善。