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PIC18FxxJxx系列的不同型号FLASH寿命怎么相差那么大?

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楼主
jiaxun|  楼主 | 2007-5-25 21:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, PIC18F
PIC18FxxJ50是10000次,而PIC18FxxJ10/15就只有100次了.

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沙发
naofei67| | 2007-5-25 22:14 | 只看该作者

加工工序数不一样

当年小RB的DRAM几乎统一全球, 有40几道工序, 用在服务器上设计寿命二十年, 后来韩棒改用十来道工序, 设计寿命就十年, 价钱掉一大块, 小RB就顶不住了. 

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板凳
xieyuanbin| | 2007-5-26 08:31 | 只看该作者

工艺不一样.

擦写次数与其半导体的电子迁移能力有关,FLASH电路依靠贮存和释放电子来记录数据,擦写次数越多,残留电子越多,等残留电子数上升到一定比例时,存储单元就失效了.而为了节省成本,FLASH电路越做越小,储存电子的地方当然也越小,当小到一定程度时,残留电子数相当微量的变化都会极大影响存储效果.这就是为什么有的FLASH擦写次数可以做到100K而有些只能做到100.
18F*J*系列是18F的低成本版本,除了擦写次数之外,耐压也低了.

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地板
jiaxun|  楼主 | 2007-5-26 12:48 | 只看该作者

PIC18FxxJxx系列的不同型号FLASH寿命怎么相差那么大?

同样都是18F*J*系列但寿命差那么大,应该是同样的工艺,不可能单独为了一个型号进行调整.

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5楼
handel| | 2007-5-29 11:29 | 只看该作者

一般情况下

同一款MCU,后缀不同,擦写次数也有区别,当然价格也不一样.有的规格书中会有说明.具体看情况.

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6楼
martin| | 2007-5-29 12:14 | 只看该作者

确实做过调整

J系列的Flash工艺确实做过调整优化，另外，新的J11系列在芯片设计上也做了优化，功耗大大降低了。一切参数，以数据手册为准。

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7楼
gtw| | 2007-5-30 18:29 | 只看该作者

不同版本的Flash工艺

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