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大牛们进来看一下,变压器应用一头雾水

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楼主
本帖最后由 雨下枫 于 2015-1-8 16:46 编辑


如上图:超声波探头驱动电路


如上图:变压器次级输出的其中一端的波形。可以看到Vpp=410V左右

现在的问题是:
1、4个MOSFET会有烧坏的情况发生,请问烧坏的原因,最好是能详细分析一下。
2、300R/2W的功率电阻发热量很大。如何改善,能简单的将电阻值减小吗?
3、可以看出变压器次级输出的波形VPP在衰减,个人理解是由于2200uF/50V的电容放电后,能量逐渐衰减,这时候30V的电源由于300R/2W的功率电阻存在无法及时给电容充电。这时电阻功率也是最大的。
4、另外怎么知道变压器是否磁饱和,有什么方法可以测试。
5、如果要解决这些问题最有效的方法是不是更改变压器的参数,具体如何更改?

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雨下枫|  楼主 | 2015-1-9 09:17 | 只看该作者
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Siderlee| | 2015-1-9 11:36 | 只看该作者
本帖最后由 Siderlee 于 2015-1-9 11:41 编辑

先就问题说问题

1、4个MOSFET会有烧坏的情况发生,请问烧坏的原因,最好是能详细分析一下。
   你给的信息不足
   一般情况下,MOSFET的算坏主要有热应力,电气应力,机械应力这几种,你图中的MOSFET查不到任何信息
  你的电路也只给出了输出和输入电压。。。其它的像变压器的变比,负载大小,散热的处理方式等等,都没有

2、300R/2W的功率电阻发热量很大。如何改善,能简单的将电阻值减小吗?
    没见过这么做的,如果你想限制冲击电流,选择合适的缓启动电路

3、可以看出变压器次级输出的波形VPP在衰减,个人理解是由于2200uF/50V的电容放电后,能量逐渐衰减,这时候30V的电源由于300R/2W的功率电阻存在无法及时给电容充电。这时电阻功率也是最大的。

   有可能

4、另外怎么知道变压器是否磁饱和,有什么方法可以测试。
   测原边电流
5、如果要解决这些问题最有效的方法是不是更改变压器的参数,具体如何更改?
   不知道,信息不足

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Siderlee| | 2015-1-9 11:37 | 只看该作者
本帖最后由 Siderlee 于 2015-1-9 11:44 编辑

请教几个问题:
1)压电陶瓷是交流供电,你输出的四个二极管干什么用的
2)你的驱动那个二极管干什么用的
3)没有看见原边电流检测电路,估计是没有保护?

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雨下枫|  楼主 | 2015-1-9 13:47 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2015-1-9 11:37
请教几个问题:
1)压电陶瓷是交流供电,你输出的四个二极管干什么用的
2)你的驱动那个二极管干什么用的

1)压电陶瓷是交流供电,你输出的四个二极管干什么用的
这是日本人设计的电路,具体为什么这个用我也没弄明白,可以说它们的存在不起任何作用。

2)你的驱动那个二极管干什么用的
这点原设计原理图上是没有的,但是实际的电路板上增加了这个二极管,估计也是为了改善MOSFET烧坏的问题

3)没有看见原边电流检测电路,估计是没有保护?
是的没有保护电路

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6
雨下枫|  楼主 | 2015-1-9 14:16 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2015-1-9 11:36
先就问题说问题

1、4个MOSFET会有烧坏的情况发生,请问烧坏的原因,最好是能详细分析一下。

先就问题说问题

1、4个MOSFET会有烧坏的情况发生,请问烧坏的原因,最好是能详细分析一下。
   你给的信息不足
   一般情况下,MOSFET的算坏主要有热应力,电气应力,机械应力这几种,你图中的MOSFET查不到任何信息
  你的电路也只给出了输出和输入电压。。。其它的像变压器的变比,负载大小,散热的处理方式等等,都没有
MOSFET 工作时没有发现发热的现象,应该是你说的电气应力,可以说在MOSFET关断瞬间有尖峰电压冲击MOSFET,这时VDS电压可能超过MOSFET耐压值,不知道我分析的有没有道理。


2、300R/2W的功率电阻发热量很大。如何改善,能简单的将电阻值减小吗?
    没见过这么做的,如果你想限制冲击电流,选择合适的缓启动电路
这个电阻的存在就已经限定死了输出功率,大多数的时间里能量的输出是靠2200uF的电容,这与本身的应用相背,所以这个电阻有存在的必要吗?这个我会在后续的调试中去验证

3、可以看出变压器次级输出的波形VPP在衰减,个人理解是由于2200uF/50V的电容放电后,能量逐渐衰减,这时候30V的电源由于300R/2W的功率电阻存在无法及时给电容充电。这时电阻功率也是最大的。

   有可能

4、另外怎么知道变压器是否磁饱和,有什么方法可以测试。
   测原边电流
5、如果要解决这些问题最有效的方法是不是更改变压器的参数,具体如何更改?
   不知道,信息不足
变压器参数目前没有,压电陶瓷的规格参数目前也没有,我还需要提供什么参数可以方便你的分析,我尽我所能获取

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7
j_zhang| | 2015-1-9 14:33 | 只看该作者
驱动级两个二极管可以起到加速前沿的作用,这导致管子开通时速度很快,产生振铃,尖峰超过管子极限耐压导致击穿损坏,可以在管子漏源之间并联RC吸收电路。那个300电阻,可以在两端并联一个继电器触点,开机时经过一段时间延时闭合,防止启动瞬间过冲电流。变压器由于没看到相关参数(磁芯型号,原、付边匝数等)不好说是否进入饱和。

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8
雨下枫|  楼主 | 2015-1-9 16:21 | 只看该作者
本帖最后由 雨下枫 于 2015-1-9 16:27 编辑
j_zhang 发表于 2015-1-9 14:33
驱动级两个二极管可以起到加速前沿的作用,这导致管子开通时速度很快,产生振铃,尖峰超过管子极限耐压导致 ...


如果把300R的电阻了2200uF的电容都去了,这么做行吗?会不会引入别的问题?如果把2200uF的电容去了启动电流不就下来了吗?

这么说栅极的二极管加的还会带来负面影响,为了能提高那么一点点效率外,而牺牲了EMI

两个MOSFET都要加RC吸收电路,还是说直接在变压器的初级加RC吸收电路?

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9
j_zhang| | 2015-1-9 16:28 | 只看该作者
电容可以瞬时提供大电流,并起到降低干扰的作用,不能去,电阻可以去掉试试,只是在第一次上电时,由于电容处于无电状态,瞬间充电电容很大,容易把前级保险烧掉。

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雨下枫|  楼主 | 2015-1-9 16:43 | 只看该作者
j_zhang 发表于 2015-1-9 16:28
电容可以瞬时提供大电流,并起到降低干扰的作用,不能去,电阻可以去掉试试,只是在第一次上电时,由于电容 ...


谢谢,我先按你说的方法调试,另外RC吸收电路如何加,是2个的MOSFET的DS端都加,还是只要在变压器的初级的两端(2个MOSFET的DD端)加就行。

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11
j_zhang| | 2015-1-9 16:46 | 只看该作者
你看一下DS的波形,如果存在很大振铃,可加在DS端。

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12
雨下枫|  楼主 | 2015-1-9 16:57 | 只看该作者
好的。

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Siderlee| | 2015-1-9 17:50 | 只看该作者
雨下枫 发表于 2015-1-9 13:47
1)压电陶瓷是交流供电,你输出的四个二极管干什么用的
这是日本人设计的电路,具体为什么这个用我也没弄 ...

果然是小日本

他们的设计从大功率到小功率很多都不设计保护。。。

1)起不起作用不知道,估计跟过零检测有关系;
2)估计你画错地方了;

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14
雨下枫|  楼主 | 2015-1-10 11:12 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2015-1-9 17:50
果然是小日本

他们的设计从大功率到小功率很多都不设计保护。。。

经仔细确认没有画错地方。

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15
公布| | 2015-1-14 22:59 | 只看该作者
驱动的两个二极管应该是耗掉变压初级的感应电动势吧

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16
公布| | 2015-1-14 23:33 | 只看该作者
雨下枫 发表于 2015-1-9 13:47
1)压电陶瓷是交流供电,你输出的四个二极管干什么用的
这是日本人设计的电路,具体为什么这个用我也没弄 ...

输出的四个二极管是组成桥式整流

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17
xiaoyi594| | 2015-5-14 12:04 | 只看该作者
请问四个mos管的作用是什么?
Q5和Q6的作用一样,似乎重复了?
谢谢。

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18
sanxinweiabc| | 2015-5-16 16:33 | 只看该作者

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