问一个关于ram的问题

发表于 2009-6-30 11:13

我想了解一下，ram在Vdd掉到多少伏时，会丢失数据或者ram中数据会随机，有没有一个确切的说法呢？ 我现在做一个项目，要有power off以后数据保持15s，但是现在测试电压掉到1V以下在power on lcd的显示会有乱码，所以我想了解一下ram保持数据的电压。

发表于 2009-6-30 11:58

这要看你用的MCU型号吧？你看看DATASHEET具体有点忘了。 

发表于 2009-6-30 13:44

发表于 2009-6-30 15:31

没有开

发表于 2009-6-30 15:38

我看91x的手册上写ram数据保持电压（器件工作在休眠模式下）是1.5v，而且这个电压值是特征值，未经测试的。 那么器件在掉电模式下呢？拔掉电源，利用1000uF电容放电的那段时间内呢？

发表于 2009-6-30 15:41

mcu在Vdd上电后开始工作的最快是时间有没有哪位测试过，我看手册（630）上写的是4.1ms(min),62ms(max)。还有的地方写是28ms~132ms。 我有一个客户说十几个US就行，不知道是不是真的！！

发表于 2009-6-30 15:57

发表于 2009-6-30 16:07

那个时间有没有测试过，最快多少

发表于 2009-7-1 09:42

其余的复位都不改变普通RAM的值,当然,特殊寄存器除外. 电容的放电时间,和你的耗电有直接关系,最好在掉电复位之前进入休眠. 上电后开始工作的时间,和你自己的配置位设置有关,如果上电复位延时(POR)打开,要几十个毫秒,如果上电复位延时关闭,则和你的振荡方式有关,如果是RC,可能在振荡第一个周期就可以开始工作,如果是晶振,那么需要有一个起振时间,这个时间可能有个几十~几百个微秒,视具体的晶体而不同.

发表于 2009-7-1 16:14

明白了，我试试。感谢，谢大侠指点O(∩_∩)O

问一个关于ram的问题

相关帖子

苏州单片机程序开发回复

有没有开BOR ？

没有开

刚才找到一个说明

再问一个问题

印象中是MCU在MCLR释放后再经过PWRT时间开始工作

那个时间有没有测试过

除掉电至1.5V以下外,

明白了

浏览过的版块

终身成就奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章

核心会员奖章

沉静之湖泊

常驻人口

技术导师奖章