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问一个关于ram的问题

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foxmax|  楼主 | 2009-6-30 11:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
我想了解一下,ram在Vdd掉到多少伏时,会丢失数据或者ram中数据会随机,有没有一个确切的说法呢?
我现在做一个项目,要有power off以后数据保持15s,但是现在测试电压掉到1V以下在power on lcd的显示会有乱码,所以我想了解一下ram保持数据的电压。
沙发
weiwenlin| | 2009-6-30 11:58 | 只看该作者

苏州单片机程序开发回复

这要看你用的MCU型号吧?你看看DATASHEET具体有点忘了。 

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板凳
yewuyi| | 2009-6-30 13:44 | 只看该作者

有没有开BOR ?

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地板
foxmax|  楼主 | 2009-6-30 15:31 | 只看该作者

没有开

没有开

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foxmax|  楼主 | 2009-6-30 15:38 | 只看该作者

刚才找到一个说明

我看91x的手册上写ram数据保持电压(器件工作在休眠模式下)是1.5v,而且这个电压值是特征值,未经测试的。
那么器件在掉电模式下呢?拔掉电源,利用1000uF电容放电的那段时间内呢?

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foxmax|  楼主 | 2009-6-30 15:41 | 只看该作者

再问一个问题

mcu在Vdd上电后开始工作的最快是时间有没有哪位测试过,我看手册(630)上写的是4.1ms(min),62ms(max)。还有的地方写是28ms~132ms。
我有一个客户说十几个US就行,不知道是不是真的!!

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7
yewuyi| | 2009-6-30 15:57 | 只看该作者

印象中是MCU在MCLR释放后再经过PWRT时间开始工作

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8
foxmax|  楼主 | 2009-6-30 16:07 | 只看该作者

那个时间有没有测试过

那个时间有没有测试过,最快多少

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xieyuanbin| | 2009-7-1 09:42 | 只看该作者

除掉电至1.5V以下外,

其余的复位都不改变普通RAM的值,当然,特殊寄存器除外.
电容的放电时间,和你的耗电有直接关系,最好在掉电复位之前进入休眠.
上电后开始工作的时间,和你自己的配置位设置有关,如果上电复位延时(POR)打开,要几十个毫秒,如果上电复位延时关闭,则和你的振荡方式有关,如果是RC,可能在振荡第一个周期就可以开始工作,如果是晶振,那么需要有一个起振时间,这个时间可能有个几十~几百个微秒,视具体的晶体而不同.

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foxmax|  楼主 | 2009-7-1 16:14 | 只看该作者

明白了

明白了,我试试。感谢,谢大侠指点O(∩_∩)O

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