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PIC16F914间接方式写第2页数据寄存器问题,请指点

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楼主
ZHOUSS|  楼主 | 2009-3-10 14:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
bsf     status,rp1
bcf     status,rp0
        movlw    10h
        movwf   fsr
        movf    reg7,w
        movwf   indf 
        bcf     status,rp1
个人觉得REG7应该写到第2页的10数据区,,模拟走的却是在0页的10H地址里,搞不懂怎么回事?
沙发
tcc8073| | 2009-3-10 15:17 | 只看该作者

好象理解有点错误

你这程序首先是选的第2页,但是第2页并没有10H单元,所以你这样写是不对的,看你这个,按照你的意思我想是90H,这样REG7就写入90H,按照你上面的程序应该是错误的,数据写入10H只是错误数据而已,我的理解是这样,RAM四个体中的特殊和普通存储单元的应用是先定义体再在这个体内选单元操作,ROM页的相应页同样是这样的,去看一下BANK和PAGE的应用

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板凳
ZHOUSS|  楼主 | 2009-3-10 15:19 | 只看该作者

第二页有10H单元,是液晶的数据单元,,

如果我直接写入是可以的,但是换成间接方式就不行,,想不通.

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地板
ZHOUSS|  楼主 | 2009-3-10 15:44 | 只看该作者

还真奇怪,实际使用也是这样,,

我写到芯片里运行也是一样的结果,,直接给10H(第2页110H)就可以,,间接方式就不行,可能那个高位的1在别的地方还有关联,

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5
我不懂| | 2009-3-16 21:53 | 只看该作者

222222222222


把STATU中的irp置1,把FSR切换到2和3 BANK就可以了
 

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