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设计电压2-3V,带宽10M,增益为>12db,噪声系数<0.6,电流<5ma的LNA

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dake|  楼主 | 2008-5-5 18:29 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
xfz| | 2008-5-5 18:34 | 只看该作者

关键的中心频率没有说

找Aginent,这个要求还好。

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板凳
dake|  楼主 | 2008-5-5 21:34 | 只看该作者

信号的带宽是2-8M

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地板
dake|  楼主 | 2008-5-5 21:35 | 只看该作者

中心的频率就是5M,带宽6M.

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5
xfz| | 2008-5-5 22:14 | 只看该作者

哈哈,够你受的了

RF做这样的指标还好说;如此低的频率,用op难(增益/带宽限制),一般的FET也都是在低频率噪声不好处理。
另外一个问题,对输入驻波有要求没?

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6
dake|  楼主 | 2008-5-6 09:01 | 只看该作者

输入驻波没有要求,现在想用NEC的高频FET管

比如:NE34018什么的,但是确实不知道它的低频噪声怎么样.

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7
xfz| | 2008-5-6 09:24 | 只看该作者

用高频管?

你到底清楚中心频率不?5MHZ的如何用高频管?

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8
dake|  楼主 | 2008-5-6 09:56 | 只看该作者

那用什么管子?

用op的话电压低的很难找,而且价格贵,低噪声的也不多.增益/带宽限制也难搞.普通的Bjt管子实验过了,噪声系数高.只有找高频的FET管试试了.

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9
dake|  楼主 | 2008-5-7 12:54 | 只看该作者

顶一下

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10
xfz| | 2008-5-7 13:53 | 只看该作者

真是这样

好难,你可以看看HF的放大器,在LF情况下,噪声也是相当差。

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11
dake|  楼主 | 2008-5-7 14:57 | 只看该作者

说得哥哥都没有信心了.

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12
xfz| | 2008-5-9 12:15 | 只看该作者

看来看去还是对这个问题有兴趣

若是放松一些条件,我想还是有可能实现的。例如电压高点,电流大点。现在既是低功耗,又是高性能。这到底用在什么地方?

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13
dake|  楼主 | 2008-5-12 08:58 | 只看该作者

啊呀

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14
yysmcu| | 2008-5-20 01:53 | 只看该作者

你们继续吹

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15
dake|  楼主 | 2008-5-20 10:24 | 只看该作者

一起吹

 yysmcu 发表于 2008-5-20 01:53 模拟技术 ←返回版面    

15楼: 你们继续吹 

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16
xfz| | 2008-5-21 12:38 | 只看该作者

to yysmcu

要是有什么可吹的,不妨一起吹...

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 yysmcu 发表于 2008-5-20 01:53 模拟技术 ←返回版面    

15楼: 你们继续吹 

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