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可控硅击穿

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rjj|  楼主 | 2007-5-31 22:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
可控硅驱动正反转单相马达(250W),采用MOC3061光藕,BTA16-600双向可控硅,可控硅A1和A2脚并联47欧串474P630V电容吸收电路,测试时发现BTA16常有击穿,474P630V电容也会击穿。
换成采用MOC3081光藕,BTA16-800双向可控硅,击穿现象变少,但仍有发生,给光藕的电流大约为8~9MA,电流连续。会时什么问题呢?
可控硅触发线路也不长,正转可控硅电路一份,反转一份,线路相同,HOT均连接火线,正、反控制线也经逻辑互锁,只是控制电流是连续而非脉冲,这有问题吗?
正转时,反转可控硅A1、A2脚间测得电压400伏左右,吸收回路电容测得电压同值,总电路通过3A保险保护,但保险从来没有烧断。但还是发生击穿可控硅和吸收电容的现象,真是伤心!请朋友们指点指点,不胜感激!
附图。

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沙发
dai_weis| | 2007-5-31 22:45 | 只看该作者

看你原来的贴,有人提问有人回答

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板凳
21班猪| | 2007-5-31 23:41 | 只看该作者

有两种可能。

1,电路产生间隙谐振。
2,正反切换时,中间没加停止,冲击电流过大,损坏可控硅。

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地板
birdii| | 2007-6-5 17:06 | 只看该作者

采用碳片电阻,功率加大.电容耐压选为400V

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