可控硅击穿

发表于 2007-5-31 22:03

可控硅驱动正反转单相马达（250W），采用MOC3061光藕，BTA16-600双向可控硅，可控硅A1和A2脚并联47欧串474P630V电容吸收电路，测试时发现BTA16常有击穿，474P630V电容也会击穿。 换成采用MOC3081光藕，BTA16-800双向可控硅，击穿现象变少，但仍有发生，给光藕的电流大约为8～9MA，电流连续。会时什么问题呢？ 可控硅触发线路也不长，正转可控硅电路一份，反转一份，线路相同，HOT均连接火线，正、反控制线也经逻辑互锁，只是控制电流是连续而非脉冲，这有问题吗？ 正转时，反转可控硅A1、A2脚间测得电压400伏左右，吸收回路电容测得电压同值，总电路通过3A保险保护，但保险从来没有烧断。但还是发生击穿可控硅和吸收电容的现象，真是伤心！请朋友们指点指点，不胜感激！ 附图。

发表于 2007-5-31 22:45

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发表于 2007-5-31 23:41

1，电路产生间隙谐振。 2，正反切换时，中间没加停止，冲击电流过大，损坏可控硅。

发表于 2007-6-5 17:06

可控硅击穿

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有两种可能。

采用碳片电阻,功率加大.电容耐压选为400V

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